QLC和TLC固态哪个好需要根据应用场景来判断。
QLC是四位存储单元技术，也就是说每个存储单元可以存储4个比特，而TLC是三位存储单元技术，每个存储单元可以存储3个比特。由于QLC可以存储更多的比特，所以它的存储密度更高，价格也更低。但是，QLC的寿命比TLC更短，因为它的写入次数更少。
那对于需要大容量存储的应用来说，QLC显然更适合，因为它的存储密度更高，价格也更低。而对于需要高速读写和较长寿命的应用来说，TLC更为适合。因此，不能简单地说哪种更好，而要根据具体的应用场景来选择。
QLC原理的介绍：
1、存储单元结构：QLC闪存存储单元的基本结构与其他闪存类型相似，由浮栅和控制栅构成。浮栅中的电荷量表示存储单元的状态，用来表示0或者1。QLC闪存通过在浮栅中存储更多的电荷量来实现每个存储单元存储更多的比特。
2、多电荷量级表示：QLC闪存通过在浮栅中存储多个电荷量级来表示不同的比特组合。传统闪存技术中，每个存储单元只能存储一个电荷量级，代表两种状态（0或1），而QLC闪存通过增加电荷量级的变化来表示更多的比特组合。
