覆晶封装结构[实用新型专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：覆晶封装结构专利类型：实用新型专利发明人：何昆耀,宫振越申请号：CN02252388.X申请日：20021022公开号：CN2582177Y公开日：20031022

摘要：本实用新型涉及一种覆晶封装结构，此覆晶封装结构利用激光开孔或是电浆蚀刻的垂直方向开孔加工制程，可以形成高分辨率精确对准的开口以暴露出基板的焊垫以及晶圆上的焊垫下金属层，可形成细间距高密集度的焊接凸块，此外，在基板上使用高可靠度屏蔽层与非感光性介电层以及在晶圆上使用非感光性介电层，不但可保护基板上的电路，亦可取代传统基板与晶圆进行覆晶封装结合时所用的传统构装灌胶混合物或覆晶填充(Underfill)物，因而避免传统覆晶封装制程因使用覆晶填充而引入空孔(Void)造成结构可靠度降低的问题。

申请人：威盛电子股份有限公司

地址：省台北县新店市中正路533号8楼

国籍：CN

代理机构：中原信达知识产权代理有限责任公司

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