在介质基片的同一平面上集成TaN材料两种方阻互连薄膜电阻的方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201610349523.6 （22）申请日 2016.05.18

（71）申请人 中国电子科技集团公司第四十一研究所

地址 266555 山东省青岛市经济技术开发区香江路98号

（10）申请公布号 CN106057785A

（43）申请公布日 2016.10.26

（72）发明人 曹乾涛;龙江华;孙佳文 （74）专利代理机构

代理人

（51）Int.CI

H01L23/64;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

在介质基片的同一平面上集成TaN材料两种方阻互连薄膜电阻的方法

（57）摘要

本发明提出了一种在介质基片的同一平面

上集成TaN材料两种方阻互连薄膜电阻的方法，包括以下步骤：在介质基片同一平面上溅射大方阻TaN薄膜，然后依次溅射第一粘附层薄膜、第一导体薄膜；将大方阻电阻图形和大方阻电阻端电极图形看作同一信息层图形进行主图形光刻蚀制作；将小方阻电阻图形位置处光刻蚀形成大方阻TaN薄膜；在所述介质基片形成主图形的表面

上溅射小方阻TaN薄膜，然后依次溅射第二粘附层薄膜、第二导体薄膜；光刻蚀制作小方阻电阻端电极图形；光刻蚀制作由大方阻与小方阻构成的并联小方阻TaN薄膜电阻图形；光刻蚀制作大方阻TaN薄膜电阻图形和大方阻电阻端电极图形。本发明使用TaN同一种薄膜电阻材料，实现大小两种方阻互连薄膜电阻的制作。

法律状态

法律状态公告日2016-10-26 2016-10-26 2016-11-23 2016-11-23 2018-08-14

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

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公开 公开

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权利要求说明书

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说明书

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