实例分析MCU的DataFlash访问控制

笔者在家用火灾报警系统项目的开发过程中，在进行主从机通讯和从机自身

任务处理时，需要经常与从机

MCU 进行运行数据的存取。过去传统的方法是在 MCU 上

外挂 EEPROM 或将 MCU 内部的部分存储单元专门划分出来，以存取运行数据。这两种

方法的不利之处是： 外挂 EEPROM 需要增加 MCU 与 EEPROM 的读写接口，增加了 MCU 的管脚负担， 减慢了数据的读写速度的同时还增加了功耗； 专门为运行数据划分存储单元则减少了程序代码的存储空间，同时存储空间的读写、擦除等操作会比较麻烦，另外还要非常小心，以防擦掉了有用的程序代码。

瑞萨 RL78 系列 MCU 内嵌 2KB 的 DATA FLASH ，省去了用户单独外扩数据 FLASH 的麻烦。RL78 系列 MCU 还支持 BGO 操作，程序指令在 DATA FLASH 读写时仍可正常执行。其对 DATA FLASH 存储单元的写操作寿命高达 1 百万次以上，非常适合于需要频繁存取数据的应用场合。

与有些半导体厂商的控制芯片不同，瑞萨并没有直接将

DATA FLASH 的读写操作完全开

放给用户，而是提供了一套叫做 PFDL （Pico Data Flash Library，即微型数据闪存访问库）的软件接口，来实现对闪存系统的操作。用户使用时只需要调用相应的库函数即可进行 DATA FLASH 的读写、校验、擦除等操作，而不必关心底层驱动函数的具体实现方式。这

在很大程度上方便了用户程序的设计，缩短了开发周期。

1）DATA FLASH 结构和 PFDL

RL78 的存储结如图 1 所示。其中 Data Flash memory 物理地址为 F1000H-F17FFH，被分成了两个 BLOCK 区，每个 BLOCK 区 1KB ，共 2KB 。

图 1：瑞萨 RL78 系列 MCU 的存储结构

PFDL 由表 1 所示的库文件组成。

表 1：PFDL 库文件