专利名称：具有改进的隧穿势垒的磁隧道结专利类型：发明专利
发明人：I·L·普雷贝亚努,C·波特蒙,C·迪克吕埃申请号：CN201210401686.6申请日：20120907公开号：CN103000805A公开日：20130327
摘要：具有改进的隧穿势垒的磁隧道结。本发明涉及一种制造适合于磁随机存取存储器(MRAM)的磁隧道结的方法，该磁隧道结包括第一铁磁层，隧穿势垒层以及第二铁磁层，该方法包括：形成第一铁磁层；形成隧穿势垒层；以及形成第二铁磁层；其中所述形成隧穿势垒层包括沉积金属镁层；以及氧化沉积的金属镁层，以便将金属镁转化为MgO；形成隧穿势垒层的步骤被执行至少两次，使得隧穿势垒层包括至少两层MgO。
申请人：克罗科斯科技公司
地址：法国格勒诺布尔
国籍：FR
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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