氮化镓系化合物半导体的制造方法和半导体发光元件[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：氮化镓系化合物半导体的制造方法和半导体发光元

件

专利类型：发明专利

发明人：加藤亮,藤金正树,井上彰,横川俊哉申请号：CN2009801565.5申请日：20091021公开号：CN102318039A公开日：20120111

摘要：本发明是一种通过有机金属化学气相沉积法而使发光峰值波长为500nm以上的m面InGaN层生长的氮化镓系化合物半导体的制造方法。首先，进行将反应室内的基板加热的工序(A)。其次，进行将含有In气源、Ga气源和N气源的气体供给到所述反应室内，以700℃～775℃的生长温度，使由InGaN结晶构成的m面InGaN层在所述基板上生长的工序(B)。在所述工序(B)中，将所述m面InGaN层的生长速度设定在4.5nm/分～10nm/分的范围内。

申请人：松下电器产业株式会社

地址：日本大阪府

国籍：JP

代理机构：中科专利商标代理有限责任公司

代理人：汪惠民

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