专利名称：一种金属配线的多步干法刻蚀方法专利类型：发明专利发明人：吕煜坤
申请号：CN200310109600.3申请日：20031218公开号：CN1630042A公开日：20050622
摘要：本发明一种微电子制造领域的金属配线的多步干法刻蚀方法。在微电子制造领域，金属配线上具有多层膜结构，为了将上述膜结构有效刻蚀，需要进行多步，需要多种不同的工艺条件。本发明通过在不同的工艺条件转化时增加缓冲步，其工艺条件是上下两步骤的过渡，用来降低线宽差的变化。同时，在刻蚀过程中，通过模拟等离子体的发光波长的变化，来分别对抗反向膜及金属层进行刻蚀终点检测，作到对该步刻蚀时间的精确控制。通过上述方法，可以得到刻蚀后形状和电阻稳定的金属配线。
申请人：上海华虹NEC电子有限公司
地址：201206 上海市浦东川桥路1188号
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：丁纪铁
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