专利名称：一种储存装置的制造方法专利类型：发明专利
发明人：施彦豪,陈治平,赖昇志申请号：CN201410653465.7申请日：20141114公开号：CN104867930A公开日：20150826
摘要：本发明公开了一种储存装置的制造方法，包括：数层的第一导电材料是被刻蚀以界定在第一组沟槽的左右的第一组叠层的导电条带，于此，一叠层具有大于目标宽度的两倍的宽度。第一储存层是形成于第一组沟槽中的导电条带的侧表面上，而第二导电材料的第一层是形成在第一储存层上面。第一组叠层是被刻蚀以界定在第二组沟槽之间的第二组叠层的导电条带，其中，一叠层具有等于目标宽度的宽度。第二储存层是形成于第二组沟槽中的导电条带的侧表面上，而第二导电材料的第二层是形成在第二储存层上面。
申请人：旺宏电子股份有限公司
地址：中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
国籍：CN
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：任岩
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