专利名称：金属栅极结构及其制备方法专利类型：发明专利发明人：鲍宇
申请号：CN201611076645.9申请日：20161130公开号：CN106340452A公开日：20170118
摘要：本发明提供的金属栅极及其制备方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括第一区域和第二区域，第一区域具有第一伪栅极，第二区域具有第二伪栅极，第一伪栅极和第二伪栅极暴露在层间介质层外；去除第一伪栅极和第二伪栅极，分别形成第一沟槽与第二沟槽；在第一沟槽的侧壁和底壁形成第一功函数调节层；在第一沟槽的侧壁和底壁及第二沟槽的侧壁和底壁形成第二功函数调节层；对第二功函数调节层表面进行氮化处理，形成含氮阻挡层；在第一沟槽的侧壁和底壁形成第一浸润层，在第一沟槽中填充第一栅电极，在第二沟槽的侧壁和底壁形成第二浸润层，在第二沟槽中填充第二栅电极。本发明能够防止水氧进入第二功函数调节层及第一功函数调节层，提高器件性能。
申请人：上海华力微电子有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：智云
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