考虑射束功率输入的晶片温度控制[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：考虑射束功率输入的晶片温度控制专利类型：发明专利

发明人：约翰·巴格特,乔·费拉拉,布莱恩·特里申请号：CN201880055598.0申请日：20180918公开号：CN111052295A公开日：20200421

摘要：本发明提供一种在离子注入系统中注入离子期间维持工件温度的系统和方法，其中使用一组预定的参数集来表征离子注入系统。在第一温度下设置受热夹盘，其将工件加热到第一温度。在加热的同时将离子注入到工件中，并通过离子注入将热能施加到工件中。通过选择性在受热夹盘上将工件加热到第二温度，在离子注入期间将工件的期望温度维持在期望精度内。至少部分地基于离子注入系统的表征来维持期望温度。通过在第二温度下选择性在受热夹盘上加热工件，减少从注入施加到工件中的热能。

申请人：艾克塞利斯科技公司

地址：美国马萨诸塞州比佛利市

国籍：US

代理机构：北京中原华和知识产权代理有限责任公司

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