一种黑磷场效应晶体管及其制造方法[发明专利]

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专利名称：一种黑磷场效应晶体管及其制造方法专利类型：发明专利发明人：张海洋,王彦

申请号：CN201610578768.6申请日：20160721公开号：CN1074906A公开日：20180130

摘要：本发明提供一种黑磷场效应晶体管及其制造方法，所述制造方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成掩膜层，所述掩膜层具有开口图案；在所述开口中形成黑磷薄片；执行加热处理，以使所述黑磷薄片转化为覆盖所述开口底部的红磷层；将所述红磷层转化为覆盖所述开口底部的黑磷层；移除所述掩膜层。根据本发明提出的黑磷场效应晶体管的制造方法，可改善黑磷场效应晶体管的性能。

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

地址：201203 上海市浦东新区张江路18号

国籍：CN

代理机构：北京市磐华律师事务所

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