专利名称：顶栅型薄膜晶体管的制作方法专利类型：发明专利发明人：邓永
申请号：CN201610458176.0申请日：20160622公开号：CN106098560A公开日：20161109
摘要：本发明提供一种顶栅型薄膜晶体管的制作方法，通过在氧化物半导体层上形成还原金属层，并利用激光退火工艺将覆盖有还原金属层的氧化物半导体层还原成导体，形成源极接触区与漏极接触区，利用被还原成导体的源极接触区与漏极接触区与所述源极和漏极接触，能够大大降低源极和漏极的接触电阻，提升顶栅型薄膜晶体管的性能，制作方法简单。
申请人：深圳市华星光电技术有限公司
地址：518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号
国籍：CN
代理机构：深圳市德力知识产权代理事务所
代理人：林才桂
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