等离子体处理装置和等离子体蚀刻方法[发明专利]

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专利名称：等离子体处理装置和等离子体蚀刻方法专利类型：发明专利发明人：永岩利文

申请号：CN201980004531.9申请日：20190610公开号：CN111095502A公开日：20200501

摘要：在例示性的实施方式所涉及的等离子体处理装置中，在腔室内设置有基板支承台和聚焦环。聚焦环在基板支承台上包围基板。聚焦环具有第一区域和第二区域。第一区域包括聚焦环的内侧上表面。第二区域包括聚焦环的外侧上表面。内侧上表面延伸至比外侧上表面更靠近聚焦环的中心轴线的位置。聚焦环构成为：在腔室内生成等离子体期间，使第一区域的负极性的直流偏置电位的绝对值比第二区域的直流电位的绝对值高。

申请人：东京毅力科创株式会社

地址：日本东京都

国籍：JP

代理机构：北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：刘新宇

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