专利名称：HEMT器件及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：吕红亮,张静,赵小红,张玉明,张义门申请号：CN201711138236.1申请日：20171116公开号：CN108010844A公开日：20180508
摘要：本发明涉及一种HEMT器件及其制备方法，包括：S101、选取衬底材料；S102、在所述衬底材料表面依次生长第一缓冲层和第二缓冲层；S103、在所述第二缓冲层表面制备沟槽区；S104、在所述沟槽区中依次生长下势垒层、沟道层、隔离层、掺杂层、上势垒层、空穴阻挡层以及帽层；S105、制备栅极、源极和漏极以完成HEMT器件的制备。本发明提供的HEMT器件及其制备方法解决了缓冲层材料易氧化造成器件性能下降的问题；可以将第二缓冲层作为台面刻蚀终止层，在保证器件隔离的效果的同时不会增大栅电流的泄漏，进一步提高了HEMT器件的工作性能。
申请人：西安电子科技大学
地址：710071 陕西省西安市太白南路2号
国籍：CN
代理机构：西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：刘长春
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