专利名称：操作半导体装置的方法专利类型：发明专利
发明人：崔相武,金元住,李太熙,车大吉申请号：CN200910205251.2申请日：20091021公开号：CN101727969A公开日：20100609
摘要：本发明提供了一种操作半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：在将半导体装置的数据状态改变为第一状态的擦除模式下，将施加到所述漏区的漏极电压脉冲从启用状态转变至停用状态，然后，将施加到所述栅极区的栅极电压脉冲从所述启用状态转变为所述停用状态；在将半导体装置的数据状态改变为第二状态的写入模式下，将所述栅极电压脉冲从所述启用状态转变至所述停用状态，然后，将所述漏极电压脉冲从所述启用状态转变至所述停用状态。
申请人：三星电子株式会社
地址：韩国京畿道水原市
国籍：KR
代理机构：北京铭硕知识产权代理有限公司
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