专利名称：微电子器件的制造方法及由该方法制造的微电子器
件
专利类型：发明专利
发明人：克劳斯·J·里佩,赫维·布兰克,沃尔夫冈·德泽申请号：CN01820891.6申请日：20011218公开号：CN1481579A公开日：20040310
摘要：提供一种微电子器件的制造方法，通过在GaAs化合物半导体材料上，特别是在例如异质结二极管的异质结结构GaAs化合物半导体材料上制成半导体件，它以简单且价廉的制造工艺获得具有长时间工作低欧姆接触电阻的特点。
申请人：单片集成电路半导体两合股份有限公司
地址：德国乌耳姆市
国籍：DE
代理机构：隆天国际知识产权代理有限公司
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