专利名称：高电子迁移率晶体管专利类型：实用新型专利发明人：F·尤克拉诺
申请号：CN201922013785.7申请日：20191120公开号：CN211578757U公开日：20200925
摘要：本公开涉及高电子迁移率晶体管。一种高电子迁移率晶体管，包括：异质结构；异质结构上的电介质层；在贯穿电介质层的厚度上延伸的栅极电极；源极电极；以及漏极电极。电介质层在栅极电极和漏极电极之间延伸，而在栅极电极和源极电极之间不存在电介质层。以这样的方式，可以在没有由于朝向源极电极延伸的场板所导致的约束下，设计栅极电极和源极电极之间的距离。
申请人：意法半导体股份有限公司
地址：意大利阿格拉布里安扎
国籍：IT
代理机构：北京市金杜律师事务所
代理人：董莘
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