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XL6000 系列升压芯片做升降压SEPIC 拓朴指导手册

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XL6000系列升压芯片做升降压SEPIC拓朴指导手册SEPIC系统设计简介有些应用需要稳定的输出电压,该输出电压可能高于或等于也可能低于输入电压(Vin≤Vout或Vout<Vin),根据这个应用,需要设计一款输入电压宽范围,输出电压恒定的方案。SEPIC变换器SEPIC的电气原理简图如图一所示。通常称之为升降压变换器SEPIC的简单原理如下(如图二):SEPIC设计中具有原边电感(L1)、副边电感(L2)和位于两个电感之间的串联电容(Cp),某种程度上,可以把SEPIC设计看作是具有隔直流电容(消除输入电压)的BOOST调节器,允许输出电压高于或低于输入电压。然而,为了复位隔直流电容,允许能量传递到输出端,在副边放置了另一个电感L2。对电路进行分析,会发现Cp上的直流电压等于输入电压,当MOSFET(Q1)导通时,Vin为L1充电、Cp为L2充电。由于C3上的电压等于输入电压,导通期间每个电感电压相同。关闭期间,每个电感的放电电压相www.kylinchip.com1同——输出电压加上D1的导通电压。由于L1和L2具有相同的充、放电电压,它们可以具有相同的电感量和纹波电流,但二者的平均电流相差较大。Q1导通时,D1反偏,只有输出电容Cout支持输出电流(Iout);Q1断开时,L1的电感电流流过Cp,与L2电流合并,为输出电容充电并支持Iout。通过对方程式进行分析,会发现电路中L2的电流用于支持Iout,L1的电流重新为输出电容充电,补充能量。即L2的平均电流等于Iout,而L1的平均电流等于Iout×Vout/Vin。由SEPIC的原理可推出基本关系式:Vout/Vin=D/(1-D)。式中D为占空比,且忽略SW及D1等的压降。www.kylinchip.com2麟芯电子SEPIC应用选择表注意事项1,设计时需要保证输入电压符合要求范围;2,输入电压与输出电压之和不能超过40V。SEPIC转换器设计实例以XL6010为实例来设计SEPIC转换器,设计要求如下所示:输入电压(Vin):10V-24V输出电压(Vout):12V输出电流(Iout):1.5A开关频率(Fsw):180KHzXL6010是一颗升压型DC/DC转换器,输入电压范围5V-32V,内置N沟道的MOSFET,其最大开关电流5A,开关频率180KHz,封装类型TO263-5L,内置OCP、OTP等保护电路,工作温度-40℃--+125℃,内置软启动功能,效率可达94%;主要应用于PDA供电、便携式笔记本车载适配器等领域。www.kylinchip.com3输入电压不同,输出恒压12V时系统应用效率图元器件选型在该例中使用XL6010升压型转换器。此设计是在直流输入电压范围为10-24V时,恒压输出12V,典型输出电流为1.5A。电路如图三所示www.kylinchip.com4步骤1:计算占空比我们选用VD为0.5V,步骤2:选择电感输入电感L1的纹波电流为:电感为:www.kylinchip.com5L1峰值电流为:L2峰值电流为:选用耦合电感L=47μH步骤3:内置功率MOSFET参数MOSFET峰值电流为:www.kylinchip.com6步骤4:选择输出二极管二极管额定的反向电压必须高于Vin+Vout,二极管平均电流等于满载时的输出电流。选用肖特基二极管D13A40VSMC封装步骤5:选择SEPIC耦合电容Cs的RMS电流为:www.kylinchip.com7选择一个6.8μF的陶瓷电容选用陶瓷电容C3=6.8μF步骤6:选择输出电容输出电容的RMS电流是:www.kylinchip.com8假定纹波是输出电压12V的2%。输出电容的ESR值为:以及电容值为:使用一片68μF陶瓷电容。或者可以将铝电解和陶瓷电容一起使用,对噪声敏感的应用可包括一个二阶滤波器。选用铝电解CIN=100μF(耐压50V)和陶瓷电容C2=6.8μF步骤7:选择输入电容输入电容的RMS电流是:选用铝电解CIN=330μF(耐压50V)和陶瓷电容C2=6.8μF步骤8:选择反馈电阻R1和R2分别是电阻分压器的末端电阻值和顶端电阻值。反馈参考电压为www.kylinchip.com91.25V。根据公式:VOUT=1.25*(1+R2/R1)可得,若R1=1.82KΩ,则R1=16KΩ;选用精度为1%的精密电阻,若R1=1.82KΩ,最接近的电阻值R2=16KΩ典型波形图原理图XL6010SEPIC演示板应用电路如图三所示。www.kylinchip.com10引脚描述物料清单www.kylinchip.com11演示板www.kylinchip.com12PCB布局顶视图www.kylinchip.com13底视图www.kylinchip.com14

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