用于精确判定等离子体刻蚀机刻蚀芯片终点的监测方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201811042338.8 （22）申请日 2018.09.07

（71）申请人 北京智芯微电子科技有限公司;国息通信产业集团有限公司

地址 100192 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼

（10）申请公布号 CN109148316A

（43）申请公布日 2019.01.04

（72）发明人 刘波;单书珊;李建强;乔彦彬

（74）专利代理机构 北京中誉威圣知识产权代理有限公司

代理人 席勇

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（）发明名称

用于精确判定等离子体刻蚀机刻蚀芯片终点的监测方法

（57）摘要

本发明公开了一种用于精确判定等离子体

刻蚀机刻蚀芯片终点的监测方法，其基于等离子体刻蚀机，且等离子体刻蚀机的反应仓的顶部开设有观察窗，且观察窗的上方设置有显微镜，用于精确判定等离子体刻蚀机刻蚀芯片终点的监测方法包括以下步骤：步骤一：将芯片放入等离子体刻蚀机的反应仓中；步骤二：等离子体刻蚀机的控制系统进行常规设置刻蚀芯片；步骤三：完成刻蚀流程后暂不取出芯片，通过显微镜透过观

察窗实时观察芯片的刻蚀进度；以及步骤四：根据芯片的刻蚀进度确定是否为芯片的刻蚀终点。借此，本发明的用于精确判定等离子体刻蚀机刻蚀芯片终点的监测方法，实时观察刻蚀进度，可以精确判定等离子体刻蚀机刻蚀芯片的终点。

法律状态

法律状态公告日

2019-01-04 2019-01-04 2019-01-29

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效

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公开 公开

实质审查的生效

权利要求说明书

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说明书

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