维普资讯 http://www.cqvip.com 现代材料动态 ２００２年第５期 用于半导备的６Ｎ超纯铁 东北大学多学科先进材料研究所的一个研究组成功地研制成功纯度达９９．９９９９％（６Ｎ） 的超纯铁，所采用技术是基于阴离子交换的一种新型超纯金属制备工艺。它是一种简单的 加工．控制溶液中杂质元素的原子价以提高排除杂质的效率，这种工艺可用于批量生产。 超高纯金属中所含杂质极少，作为新的功能材料（可研制出具有新颖功能的器件）越 来越受到关注。以硅化铁的形式对铁的研究取得了进展，硅化铁是一种新型发光材料（主 要用于红外波段和显示技术方面）与环境有很好的兼容性；为此，必须首先研制出超高纯、 半导体级的铁。该研究组己采用过溶剂萃取、铁交换加工，制出了纯度为９９．９９９７％的超高 纯铁，并发现，其纯度还能进一步提高。 实验中，从市场购得的电解铁作为原料，将其溶解在盐酸水溶液中，然后使溶液穿过 光供阴离子交换树脂的氯乙烯柱使铁还原；再用氢等离子体排除ｏ：等气体杂质；这样就得 到 纯度６Ｎ的超纯铁。这一新工艺通过控制（阴离子交换加工中）溶液中杂质的原子价 而得以简化。也可通过提高杂质分离比而无需溶剂萃取加工而得以简化。 超高纯的纯度通过各种检测方法得到了确认，（例如，用辉光放电质谱分析），该研究 组打算利用上述工艺制备其它超纯金属。 （邓志杰摘译） 精细图形ＤＲＡＭ 东芝公司在２００１年内采用Ｏ．１３ ｍ线宽（下一代半导体１艺）的精细图形技术生产 ＤＲＡＭ（动态随机存取存储器）。目前，半导体工业主流产品是采用Ｏ．１８ ｍ加工，但日 本电气公司（ＮＥＣ）和日立公司共同组建的Ｅｌｐｉｄａ存储器公司计划出售批量生产的Ｏ．１３ ｍ 线宽的芯片。东芝则“跳过”Ｏ．１５ ｍ工艺阶段，直接生产Ｏ．１３ ｍ线宽的产品以占领２５６ 兆比特这种大容量ＤＲＡＭ产品市场。 东芝目前主要采用Ｏ．１７５ ｍ工艺生产６４兆比特（６４Ｍｂｉｔ）、１２８ Ｍｂｉｔ和２５６Ｍｂｉｔ这 三种ＤＲＡＭ。该公司用Ｏ．１３ ｍ工艺研制出了５１２ Ｍｂｉｔ的ＤＲＡＭ，但计划在２００１年内， 采用该项技术发运２５６ Ｍｂｉｔ芯片样品。东芝公司在其Ｙｏｋｋａｉｈｉ工厂建立了生产线。精细 图形芯片生产将在２００２年完成其全额投资。东芝己开发出Ｏ．１５ ｍ精细图形１艺，但不将 其用于生产线而是转向Ｏ．１３ ｍ加工，并运用氟化氪（ＫｒＦ）准分子激光器与富士通及台 湾的Ｗｉｎｂｏｎｄ电子公司共同开发ＤＲＡＭ工艺。把Ｏ．１５ ｍ工艺芯片生产“搁置”起来、 有利于降低投资成本。 （邓志杰摘译） 从磁性废料中回收金属钕 美国能源部阿姆斯实验室的研究人员研制出一种能够从商业用磁性废料中的料堆回收 金属钕的工艺。高能钕．铁．硼（Ｎｄ．Ｆｅ－Ｂ）磁性材料可使电动机更小、功率更大、效率更高， ９
