专利名称：一种带气体冷阱的硅单晶生长炉专利类型：实用新型专利发明人：李留臣
申请号：CN201020632874.6申请日：20101130公开号：CN201924100U公开日：20110810
摘要：本实用新型公开了一种带气体冷阱的硅单晶生长炉，包括真空工作室和晶体生长室，真空工作室内设置有坩埚、加热器、保温罩以及导流筒，晶体生长室同轴设置在真空工作室的上部并与其相通，在晶体生长室和真空工作室之间设置有气体冷阱，气体冷阱包括法兰盘一、外套筒以及内套筒，法兰盘一的盘体上开有进气口，外套筒和内套筒固定连接在法兰盘一上，且均竖直向下延伸至导流筒的上方，在其两者之间形成气体流通空隙，气体流通空隙与进气口相通。本实用新型不会产生因氩气的流动而硅单晶的正常生长，同时能加大硅单晶棒的生长速度，可广泛适用于半导体硅单晶制备设备技术领域和其它单晶制备设备技术领域。
申请人：江苏华盛天龙光电设备股份有限公司
地址：213200 江苏省常州市金坛市华城路318号
国籍：CN
代理机构：西安弘理专利事务所
代理人：罗笛
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