专利名称:基于双面图形化衬底的透射式GaN紫外光电阴极专利类型:发明专利发明人:杜晓晴,童广
申请号:CN201110195907.4申请日:20110713公开号:CN102280343A公开日:20111214
摘要:本发明公开了一种基于双面图形化衬底的透射式GaN紫外光电阴极,该阴极自下而上由蓝宝石衬底、AlN/AlGaN缓冲层、p型GaN光电发射层以及Cs或Cs/O激活层组成;蓝宝石衬底的上表面均布设有m个凹孔Ⅰ,10≤m≤10,蓝宝石衬底的下表面均布设有n个凹孔Ⅱ,10≤n≤10。本发明采用双面凹孔图形结构提高蓝宝石衬底对紫外光的透射率,并增加蓝宝石衬底的生长应力作用范围,以提高缓冲层及GaN外延层质量,从而使GaN阴极获得较高的量子转换效率。
申请人:重庆大学
地址:400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
国籍:CN
代理机构:重庆博凯知识产权代理有限公司
代理人:张先芸
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