基于双面图形化衬底的透射式GaN紫外光电阴极[发明专利]

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专利名称：基于双面图形化衬底的透射式GaN紫外光电阴极专利类型：发明专利发明人：杜晓晴,童广

申请号：CN201110195907.4申请日：20110713公开号：CN102280343A公开日：20111214

摘要：本发明公开了一种基于双面图形化衬底的透射式GaN紫外光电阴极，该阴极自下而上由蓝宝石衬底、AlN/AlGaN缓冲层、p型GaN光电发射层以及Cs或Cs/O激活层组成；蓝宝石衬底的上表面均布设有m个凹孔Ⅰ，10≤m≤10，蓝宝石衬底的下表面均布设有n个凹孔Ⅱ，10≤n≤10。本发明采用双面凹孔图形结构提高蓝宝石衬底对紫外光的透射率，并增加蓝宝石衬底的生长应力作用范围，以提高缓冲层及GaN外延层质量，从而使GaN阴极获得较高的量子转换效率。

申请人：重庆大学

地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号

国籍：CN

代理机构：重庆博凯知识产权代理有限公司

代理人：张先芸

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