铈掺杂的单分子层二硫化钨薄膜及其制备方法[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：铈掺杂的单分子层二硫化钨薄膜及其制备方法专利类型：发明专利

发明人：刘红军,张福强,苏少凯,景芳丽,杨栋程,任彩霞申请号：CN201911101854.8申请日：20191112公开号：CN110668499A公开日：20200110

摘要：本发明涉及一种铈掺杂的单分子层二硫化钨薄膜及其制备方法，利用单温区CVD系统，将草酸铈和WO置于石英舟内且掺入氯化钠形成混合物，置于加热炉膛一侧边缘，将放有硫粉的石英舟置于加热炉膛外侧；关闭石英管并抽真空，载气为高纯氩气；温区将温度上升到1050~1200摄氏度并保温，在此期间不断地移动加热炉膛；以每分钟50摄氏度的降温速率退火且降至1040摄氏度并保温5~10分钟；然后自然降温，得到铈掺杂的单分子层二硫化钨薄膜。通过对实验过程相关的各类参数的控制，制备出晶体质量好、均匀的铈掺杂的单分子层二硫化钨薄膜。

申请人：天津理工大学

地址：300384 天津市西青区宾水西道391号

国籍：CN

代理机构：太原倍智知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：张宏

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