论文附件书写式样

新余学院毕业设计（论文）书写式样 一、页面设置：上2.cm,下2.cm,左3.67cm,右2.67cm，页眉设置为：居中，页眉之

下划一条线，用5号字宋体，页眉用论文的名字；页脚设置为：插入页码，页码为阿拉伯数字，居中，5号字宋体。 二、目录：“目录”两字小三号宋体加粗，目录内容小四号宋体。 三、摘要

1．中文摘要：标题小二号宋体加粗，“摘要”两字四号宋体，摘要内容小四号宋体，“关键词”三字小四号宋体加粗，

2．英文摘要：标题小二号Times New Roman 体加粗，“Abstract” 四号Times New Roman 体；“Abstract” 内容小四号Times New Roman 体，“Keyword”小四号Times New Roman 体加粗。

四、正文：标题四号宋体，正文内容小四号宋体，行间距1.5倍,。 五、图表：图表内容五号宋体。

六、参考文献：参考文献用四号宋体，参考文献内容小四号宋体，其中英文用小四号

Times New Roman 体。

七、致谢：致谢两字四号宋体，致谢内容小四号宋体。

八、打印要求：论文封皮封底用浅色皮纹纸打印，论文正文（设计说明书）应使用A4

纸单面打印。

九、毕业设计（论文）的装订、归档

⑴ 毕业设计（论文）的装订顺序为：①封面；（请到教务处网站下载学校统一封面）②中文题目、摘要、关健词；③英文题目、摘要、关健词；④目录；⑤正文；⑥参考文献；⑦致谢。

⑵毕业设计（论文）的资料归档内容为：①已装订成册的毕业设计（论文）文本；②毕业设计（论文）过程管理手册；③学生参加生产实习的日记，实习技术报告，实习单位的鉴定、评价意见等材料；④学生毕业设计（论文）收集的相关材料、以及设计类作品或光盘、电路板、图纸、实物可一并装入毕业设计（论文）的资料袋中；毕业设计（论文）的资料袋由教务处统一发放。（资料袋封面请到教务处网站下载并填入相应数字然后贴在资料袋上）。

小三号宋体加粗，居中。中间空一个字符 一级标题，小四号宋体加粗，居左。 1、目录式样

二级标题小四号宋体，居左，首行缩进1个字符。 目 录

摘要 „„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„1 Abstract „„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„2 第一章 GaN基半导体材料及器件进展（多数文章为“绪论”）„„„„„„„„„„1 1 .1 III族氮化物材料及其器件的进展与应用 „„„„„„„„„„„„„„„„1 1.1.1 III族氮化物材料及其器件的进展„„„„„„„„„„„„„„„„„„1 1.1.2 III族氮化物材料及其器件的进展„„„„„„„„„„„„„„„„„3 1. 2 III族氮化物的基本结构和性质 „„„„„„„„„„„„„„„„4 1. 3 掺杂和杂质特性 „„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„12 1. 4 氮化物材料的制备 „„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„13 1. 5 氮化物器件 „„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 19 1. 7 本论文工作的内容与安排 „„„„„„„„„„„„„„„„„„ 24 第二章 氮化物MOCVD生长系统和生长工艺 „„„„„„„„„„„„„„„„31 2. 2本论文氮化物生长所用的MOCVD设备 „„„„„„„„„„„„„„„„32 结论 „„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 136 参考文献（References）„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„138 致谢 „„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 150

三级标题小四号宋体，居左，首行缩进2个字符。

2、摘要式样

小二号宋体加粗 （1）中文摘要式样

III-Ⅴ族氮化物及其高亮度蓝光 LED外延片的MOCVD生长和性质研究

四号宋体加粗 小四号宋体 摘 要 宽禁带III－Ⅴ族氮化物半导体材料在短波长高亮度发光器件、短波长激光器、光探测器以及高频和大功率电子器件等方面有着广泛的应用前景。自1994年日本日亚化学工业公司率先在国际上突破了GaN基蓝光LED外延材料生长技术以来，美、日等国十余家公司相继报导掌握了这项关键技术，并分别实现了批量或小批量生产GaN基LED。尽管如此，这项高技术仍处于高度保密状态，材料生长的关键思想及核心技术仍未公开，还无法从参考文献及专利公报中获取最重要的材料生长信息。本论文就是在这种情况下立题的，旨在研究GaN基材料生长中的物理及化学问题，为生长可商品化的高亮度GaN基LED外延材料提供科学依据。

本文在自制常压MOCVD和英国进口MOCVD系统上对III－Ⅴ族氮化物的生长机理进行了研究，对材料的性能进行了表征。通过设计并优化外延片多层结构，生长的蓝光LED外延片质量达到了目前国际上商品化的中高档水平。并获得了如下有创新和有意义的研究结果：

1．首次提出了采用偏离化学计量比的缓冲层在大晶格失配的衬底上生长单晶膜的思想，并在GaN外延生长上得以实现。采用这种缓冲层，显著改善了GaN外延膜的结晶性能，使GaN基蓝光LED器件整体性能大幅度提高，大大降低了GaN基蓝光LED的反向漏电流，降低了正向工作电压，提高了光输出功率。

„„„„

本文得到了国家863计划、国家自然科学基金以及教育部发光材料与器件工程研究中心项目的资助。

关键词：氮化物； MOCVD； LED；卢瑟福背散射沟道；光致发光；光透射谱

小四号宋体加粗 1

小二号Times New Roman 体 加粗，居中，段后空2行 （2）外文摘要式样 Times New Roman 体加粗，居中 四号Study on MOCVD growth and properties of III-Ⅴ nitrides and high brightness blue LED wafers 正文小四号Times New Roman 体 Abstract GaN based Ⅲ-Ⅴ nitrides have potential applications on high brightness LEDs, short wavelength lasers, ultraviolet detectors, high temperature and high power electronic devices. Study on physics issues and technologies of nitrides open a new area of 3th generation semiconductor.

More than ten companies in America and Japan reported to have developed the nitrides growth technology since Nichia company in Japan first realized the commercialization of GaN based blue LED in 1994.

In this thesis,GaN and its ternary were grown by a home-made atmosphere pressure metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) and Thomas Swan 6×2” MOCVD systems. High bright blue LED wafers were obtained by optimizing the nitrides growth technology and wafer structure. Some encouraging results are following as:

1. We present the idea of using a buffer layer of deviation from stoichiometry for materials growth on large lattice mismatch substrates. This idea was realized in nitrides growth in this thesis. The epilayer crystalline quality was improved and the dislocation density was decreased by using GaN low and high temperature buffer layers of deviation from stoichiometry. The RBS/channeling spectra exhibited that the minimum yield χ

min of GaN

layers was just only 1.5%. The leak electric current of GaN based LED was obviously decreased and lower than 1μA at 5 volt reverse voltage by using this new buffer technology.

„„„„

This work was supported by 863 program in China.

Keyword: Nitrides；MOCVD；LED；Photoluminescence；RBS/channeling；Optical

absorption

2

小四Times New Roman 体加粗，分号分隔各关键词 页眉用论文题目，5号宋体居中，自正文第1章开始至文档结束 基于GaN半导体材料的研究

3、正文式样

一级章标题黑体四号居中，加粗，章标用阿拉伯数字 第1章 GaN基半导体材料及器件进展 二级节标题四号宋体居左，段前段后各空一行 三级节标题小四号宋体居左，段前段后各空一行 正文小四号宋体居左，首行空2个字符，行间距1.5倍 1 .1 III族氮化物材料及其器件的进展与应用 1.1.1 III族氮化物材料及其器件的进展 在科学技术的发展进程中，材料永远扮演着重要角色。在与现代科技成就息息相关的千万种材料中，半导体材料的作用尤其如此。以Si为代表的第一代半导体诞生于20世纪40年代末，它们促成了晶体管、集成电路和计算机的发明。以GaAs为代表的第二代半导体诞生于20世纪60年代，它们成为制作光电子器件的基础。III－Ⅴ族氮化物半导体材料及器件研究历时30余年，前20年进展缓慢，后10年发展迅猛。由于III族氮化物特有的带隙范围，优良的光、电性质，优异的材料机械和化学性能，使得它在短波长光电子器件方面有着广泛的应用前景；并且非常适合制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。III－Ⅴ族氮化物半导体材料已引起了国内外众多研究者的兴趣。 „„„„

1．2 III族氮化物的基本结构和性质

„„„„

表标题5号宋体居中，加粗，序号同各章节，放置表格上方，同一表格须放置于同一页内，表格内容5号宋体 4、图表式样

（1）表式样

表1-1用不同技术得到的带隙温度系数、Eg0、c和T0的值 带隙温度系数 样品类型 GaN/Al2O3 GaN/Al2O3 GaN/Al2O3 GaN/Al2O3

实验方法 光致发光 光致发光 光致发光 光吸收 dEg/dT(eV/K) T=300K -5.3210-4  -4.010-4 -4.510-4 3.503 3.4  ~3.471 5.0810-4 -7.210-4 -9.310-4 -996 600 772 61 59 62 63 7.3210-4 700 Eg0(eV) c (eV/K) T0 (K) 参考文献 3

基于GaN半导体材料的研究

（2）图式样

加热电阻

―――□―――■■―――□――→气流 测温元件 测温元件

图1-1 热风速计原理

转换控制

频率设置

波形数据设置

图2-1 DDS方式AWG的工作流程

号 源 制 器 频率信 频率控 地址发生 器 波形存储 器 Ｄ／Ａ转换器 滤波器 图标题5号宋体居中，加粗，序号同各章节，放置图下方 4

四号宋体加粗，居中，黑体 基于GaN半导体材料的研究 5、参考文献式样 参考文献正文中文用宋体小四字，英文用Times New Roman字体，居左顶格，序号用阿拉伯数字加中括号[ ]。 参考文献 [1] Well．Multiple-modulator fraction-n divider[P]．US Patent，5038117．1986-02-02 [2] Brian Miller．A multiple modulator fractionl divider[J]．IEEE Transaction on

instrumentation and Measurement，1991，40(2)：578-583．

[3] 万心平，张厥盛．集成锁相环路——原理、特性、应用[M]．北京：人民邮电出版社，

1990．302-307．

[4] Miler．Frequency synthesizers[P]．US Patent，4609881．1991-08-06．

[5] Candy J C．A use of double-integretion in sigma-delta modulation[J]．IEEE Trans

Commun，1985，33(COM)：249-258．

[6] 丁孝永．调制式小数分频锁相研究[D]．北京：航天部第二研究院，1997．

（参考文献以引用先后顺序编号（注于正文相应处），必须引用直接阅读的原文文献，

已录用待发表的文章需引用时，必须注明刊物名称。请在文献题目后给出文献类型标识（专著[M]、论文集[C]、学位论文[D]、报告[R]、期刊[J]、标准[S]、专利[P]。）

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四号宋体加粗，居中，黑体，中间空一格 基于GaN半导体材料的研究 致 谢 值此论文付梓之际，内心感慨无限。在论文编写过程中，得到了很多关心我的人的无私帮助，正是在这些帮助下我才得以完成论文。 首先，我要感谢我的指导老师„„ „„„„ „„„„

致谢正文中文用宋体小四字，首行宿进2个字符， 6

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