专利名称：磁性隧道结结构及制作方法专利类型：发明专利
发明人：郭一民,陈峻,肖荣福,麻榆阳申请号：CN201911046315.9申请日：20191030公开号：CN112750943A公开日：20210504
摘要：本申请提供一种磁性隧道结结构及制作方法，所述磁性隧道结形成于底电极上，所述底电极位于含有通孔的衬底，所述磁性隧道结由下至上至少包括自由层、势垒层、参考层，其特征在于，所述自由层与所述底电极之间形成有一层不导电的电流阻挡层，所述底电极外围形成有不导电的层间介质层，使得通过所述自由层的电流沿着所述电流阻挡层周围从所述自由层边缘流向所述底电极。本申请通过在自由层下方加入了一层不导电的电流阻挡层与层间介质层，改变了通过自由层的电流方向，变相的增加了自旋极化电子流经自由层的厚度，从而增强了自旋转移力矩的吸收率，即在自由层仍然保持原有厚度和垂直各向异性的条件下，提升磁性随机存储器的存储单元自由层翻转效率，以降低了磁性随机存储器的写电流，也达到降低功耗的效益。
申请人：上海磁宇信息科技有限公司
地址：201815 上海市嘉定区工业区兴顺路558号2幢2层
国籍：CN
代理机构：上海容慧专利代理事务所(普通合伙)
代理人：于晓菁
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