专利名称：晶片结构专利类型：发明专利
发明人：卢勇利,翁国良,叶荧财申请号：CN200610099253.4申请日：20060721公开号：CN101110400A公开日：20080123
摘要：本发明公开了一种晶片结构。晶片结构包括：一半导体基材、多个球下金属层以及多个凸块，其中，半导体基材具有一活性表面、多个焊垫以及一保护层。焊垫位于半导体基材的活性表面上，而保护层覆盖住半导体基材的活性表面并曝露出上述焊垫。球下金属层分别配置于焊垫上，且各球下金属层包括：一黏着层、一超晶格阻障层与一沾附层。黏着层配置于焊垫上；超晶格阻障层配置于黏着层上，且其包括多个交替堆栈的次阻障层与次沾附层，沾附层配置于超晶格阻障层上。凸块配置于沾附层上。
申请人：日月光半导体制造股份有限公司
地址：中国台湾高雄市
国籍：CN
代理机构：北京律诚同业知识产权代理有限公司
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