前向反冲分析和非卢瑟福背散射

第３８卷第２期　２００ｇ年２月　理化检验物理分册　ＰＴＣＡ（ＰＡＲＴ　Ａ：ＰＨＹＳｌＣＡＬ　ＴＥＳＴＩＮＧ）　Ｖ０Ｌ　３８　Ｎｏ．２　Ｆｅｂ　２００２　前向反冲分析和非卢瑟福背散射　赵国庆　（复旦大学现代物理研究所，上簿２００４３３）　摘要：介绍了弹性散射分析中的另外两种分析方法——前向反冲分析和非卢瑟福背散射分　析。前向反冲分析适用于材料中Ｈ和Ｈｅ同位素分析。高能质子和Ｈｅ离子背散射分析可提高对　重基体中Ｃ。Ｎ和０等轻元素分析的灵敏度。给出了这两种分析方法的应用实倒。　关键词：前向反冲；非卢瑟福背散射；轻元素分析　中图分类号：０５３９；０５７２．３４　ｌ　文献标识码：Ｅ　文章编号：１００１－４０１２（２００２）０２￣）０８８　Ｏ４　ＥＬＡＳＴＩＣ　ＲＥＣＯＩＬ　ＤＥＴＥＣＴＩＯＮ　ＡＮＡＬＹＳＩＳ　ＡＮＤ　ＮＯＮ－ＲＵＴＨＥＲＦＯＲＤ　ＢＡＣＫＳＣＡＴＴＥＲＩＮＧ　ＡＮＡＬＹｓ１Ｓ　ＺＨＡＯ　Ｇｕｏ－ｑｉｎｇ　（Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ　ｏｆ　Ｍｏｄｅｒｎ　Ｐｈｙｓｉｃｓ，ｇｕｄａｎ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｓｈａｎｇｈａｉ　２００４３３，Ｃｈｉｎａ）　Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｅｌａｓｔｉｃ　ｒｅｃｏｉｌ　ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ　ａｎａｌｙｓｉｓ　ａｎｄ　ｎｏｎ—Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ　ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｌｎｇ　ａｎａｌｙｓｉｓ　ａｒｅ　ｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄ．Ｅｌａｓｔｉｃ　ｒｅｃｏｉｌ　ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ　ｉｓ　ｕ￣ｆｕｌ　ｆｏｒ　ｔｈｅ　ａｎａｌｙｓｉｓ　ｏｆ　ｉｓｏｔｏｐｅｓ　ｏｆ　Ｈ　ａｎｄ　Ｈｅ　ｉｎ　ｎｍｔｅｒｉａｌｓ．１Ｍｃｋｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ　ａｎａｌｙｓｉｓ　ｗｉｔｈ　ｈｉｇｈ　ｅｎ－　ｅｒｇｙ　ｐｒｏｔｏｎｓ　ａｎｄ　ｈｅｌｉｕｍ　ｉｏｎｓ　ｃａｎ　ｉｍｐｒｏｖｅ　ｔｈｅ　ｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ　ｆｏｒ　ｔｈｅ　ａｎａｌｙｓｉｓ　ｏｆ　ｌｉｅｈｔ　ｅ［ｅｌｌａｅｎｔｓ，ｓｕｃｈ　ａｓ　Ｃ，Ｎ　ａｎｄ　Ｏ　ｃｏｎ　ｒａｉｎｅｄ　ｉｎ　ｍａｔｒｉｘｅｓ．Ｓｏｍｅ　ｅｘａｍｐｌｅｓ　ｆｏｒ　ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ　ｏｆ　ｂｏｔｈ　ａｎａｌｙｔｉｃａｌ　ｍｅｔｈｏｄｓ　ａｒｅ　ｇ［ｖｅｒＬ　Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：Ｅｌａｓｔｉｃ　ｒｅｃｏｉｌ　ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ；Ｎｏｎ　Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ　ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ；Ｌｉｇｈｔ　ｅｌｅｍｅｎｔ　ａｎａｌｙｓｉｓ　ｌ前向反冲探测法［　］　１．１前向反冲探测原理　＞　时，反冲粒子在前向反冲，散射离子不能在　＞９０。方向散射，在背向测不到散射离子，最大的散　＾　离子与靶原子发生弹性碰撞时，入射离子被散　射角度‰　一ｓｉｎ　・　，而且散射离子能量为双　Ｖｉｌ　射，而靶原子被反冲　视离子质量Ｍ１和靶原子质　量Ｍ　的相对大小，散射和反冲情况有所不同。上　一值。如果在前向放置一探测器探测轻的反冲粒子能　量．这就构成前向反冲探测分析法（Ｅｌａｓｔｉｃ　Ｒｅｃｏｉｌ　Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ，ＥＲＤ），常用于样品中Ｈ和Ｈｅ等同位素　含量的深度分布分析。例如用　Ｈｅ离子反冲分析　讲卢瑟福背散射分析中只讨论了　＜Ｍｚ时。探　测散射离子。没有考虑探测反冲的靶原子　根据能　量和动量守恒定律，弹性碰撞时，反冲粒子的能量　Ｅ—Ｋ　（１）　Ｈ，Ｄ和Ｔ；用“Ｏ离子反冲分析　Ｈｅ；也可用其他重　离子束做轻元素反冲分析。　前向反冲截面和Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ公式为　式中　ｃｏｓ　尘一ＦＺ：Ｚｚｅｅ（Ｍ￣＋Ｍａ）ｑ。ｌ＿　—反冲角度，　越小，反冲能量越大　散射离子的能量以上一讲中的式（１）所表示。　ｄｒ２　２ＥＭａ　ＣＯＳ　…　对于重离子反冲轻原子的情况，在很大的能量范围　内截面遵循这一公式。对于　Ｈｅ反冲氢原子的情　况，在几兆伏时，反冲截面就偏离Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ公式。　存在截面增强效应。定量分析时，应以　的实验值　为准。　散射离子与反冲粒子之间的角度关系为ｔａｎＯ—　ｓｉｎ２９／（Ｍ】／／ｖｈ—ＣＯＳ２　），口为散射角度。当Ｍ】　收稿日期：２０００一ｉ０—１５　・８８・　维普资讯 http://www.cqvip.com

赵国庆：前向反冲分析和非卢瑟福背散射　１．２前向反冲分析实验几何和条件选择　对于自支撑薄膜样品，可采用透射几何（见图　ｌａ）进行ＥＲＤ实验　反冲粒子能量为　一Ｋｒ［　一（　）　—　］一（　）　～ｔ－ｘｅｏｓｏ＇１　ｅＬ＇／＂ＣＯＳＯ＇￣　（３）　式中０　．　——分别为离子入射方向和反冲粒子　出射方向与样品法线之间的夹角　（　——入射离子在入射路径上的能量损　失　（　）　——反冲粒子在出射路径上的能量损　失　一薄膜厚度　样品　（ｂ）厚样品，掠角几何　图１前向反冲测量几何　对于厚样品，则米用琼带儿饲（见图ｌｈ）进仃　ＥＲＤ实验　此时反冲出表面的粒子能量为　Ｅ　＝Ｋ，［Ｅ　—ＬｄＥ出．～Ｍ，　］一　（　）　一ＫｒＥ。一［ｓ］　（４）　式中ｒ—Ｓ　７　Ｋ　１（ｄＥ）Ｍ￣１　（　）　Ｔ　∞ｃ。根据入射离子和反冲粒子在样品中的（ｄ　出）　和（ｄ　出）　，从反冲粒子能谱可获得深度分　布信息。深度分辨率△　一　式中△Ｅ。～一探测器系统的能量分辨率　做ＥＲＤ分析时．需在探测器前放一厚度合适　的吸收膜来阻挡前向散射离子和前向反冲的重粒子　（样品基体原子　＞ｌⅥ１），只让反冲的轻粒子（Ｍｚ　＜Ｍ　）穿过吸收膜被探测器记录。这种用吸收膜来　做粒子甄别，方法最为简便，但反冲粒子穿透吸收　膜，粒子能量降低，从样品较深处反冲的粒子不能被　探测到，从而影响了可分析深度；同时穿过吸收膜　时，由于能量歧离效应，使粒子能量分散性增大。此　时探测系统的能量分辨率还应包括有吸收膜时的能　量歧离贡献，这样影响了ＥＲＤ的深度分辨率　吸　收膜法ＥＲＤ分析的△　一般在３０￣５０ｎｍ左右。可　采用其他粒子甄别技术，例如飞行时间（ＴｏＦ）　］、电　磁偏转（Ｅ・Ｂ）。　选择来提高深度分辨率，可达　５ｎｍ　根据式（１）．ＥＲＤ实验中选择的反冲角度一般　为　一２Ｏ。～４０。之间，最常用是３ｏ。。用　Ｈｅ分析Ｈ　时．分析灵敏度为】０“Ｈ．，／Ｃ／１１。，分析深度为０．】～　０．５ｆｆｍ。采用重离子　Ｊ，例如　ｃＩ　做人射束，可提　高分析灵敏度、质量分辨率和改善△　，但可分析深　度变浅了。　１．３　ＥＲＤ分析应用实例　前向反冲分析法可用来分析金属和半导体材料　中的氢、氦同位素和其他轻元素　例如用２　３ＭｅＶ　的　Ｈｅ离子来分析Ｓｉ太阳能电池中的Ｈ含量　和　分析＿ｒｉ或１ｒｉ台金中吸附或注入的Ｈ，Ｄ和Ｔ的含　量及深度分布一　。也可用　ｃ，　Ｓｉ和　ｃ１等重离子　作分析束，分析金属中注入的Ｈｅ，Ｉ　ｉ和Ｂ等原子浓　度和分布。用　Ｓｉ和　ｃＩ离子可分析样品中的０和　ｃ等轻元素口一。图２是在不同吸氢温度下Ｔｉｓ　Ｍｏ　台金薄膜（表面镀有３ｎｍ的Ｎｉ）吸附Ｈ样品的前向　反冲谱　对这反冲谱进行数据处理后，可获得Ｈ的　浓度和深度分布。　２非卢瑟福背散射分析　一　・’］　上一讲叙述Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ背散射时．曾提到　Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ截面公式适用的能量上限问题　能量太　高时，核势散射有贡献，截面值偏离Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ公　式计算值。利用高能Ｈｅ和质子对某些元素散射截　面的增强效应，可对用常规的Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ背散射分　析不灵敏的这些元素提高其分析灵敏度。这种分析　方法称为非卢瑟福背散射分析（ｎｏｎ—ＲＢＳ），或高能　背散射分析（ＨＥＬＫＳ）。　＇舳’　维普资讯 http://www.cqvip.com

赵国庆：前向反冲分析和非卢瑟福背散射　图２吸附氧的Ｔｉｓ　Ｍｏ　台金　薄膜样品的２ＭｅＶ　Ｈｅ离子ＥＲＤ能谱　２．１高能Ｈｅ离子背散射分析　３￣ｇＭｅＶ的　Ｈｅ离子与ｃ，Ｎ和Ｏ等轻元素弹　眭碰撞时．散射截面有共振或非共振截面增强效　应一　例如　Ｏ（ａ，。）“Ｏ的散射截面随能量的变化　曲线，在３．０５ＭｅＶ处有一共振，截面值比该能量时　的Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ截面大３０倍　在其他能区也有非共　振截面增强效应，而且在一定能区，截面随能量变化　比较平坦，有利于做深度分布分析。利用这种截面　增强效应．可对重基体中的Ｃ．Ｎ和Ｏ轻杂质进行　分析，分析灵敏度得到提高。但能量的提高，ｄＥ／＂ｄｚ　减小．深度分辨率变差　图３是２．９和３．１ＭｅＶ　Ｈｅ离子分析ｓｉ基体　上ＳｉＯ２层的１１０１１一ＲＢＳ谱．由于３．０５ＭｅＶ共振散　射．氧峰的高度明显增加。图４ａ是ＹＢａ（二ｕＯ高温　超导体样品的ｎｏｎ－ＲＢＳ谱　“］，图中也给出了２ＭｅＶ　ＲＢＳ谱。用８．８ＭｅＶ　Ｈｅ离子分析该样品．Ｏ峰计　数大大提高。对重基体（　一５８～８０）中的氧元素．　用２ＭｅＶ　Ｈｅ离子ＲＢＳ分析，其探测限为５０　～　８０　（原子百分比，下同）．而用８．８ＭｅＶ　Ｈｅ离子　非卢瑟福背散射来分析，探测限可降到５　～１ｏ　用非卢瑟福散射分析无铅焊料（锡一银）表面的氧化　层是又一成功的例子　基体元素ｓｎ较重，０的含　量极低，常规的ＲＢＳ和３．０５ＭｅＶ共振散射，以及　６．２ＭｅＶ高能散射．都无法检测这薄氧化层．只有在　７．６ＭｅＶ时背散射谱上０信号对Ｓｎ率底谱的信／　噪比提高后．才能检测这氧化层。　２．２高能质子背散射分析　１］　用质子作为人射离子来对低ｚ元素，例如Ｄ，　Ｔ，Ｈｅ和Ｉ　ｉ做背散射分析时，质量分辨率很好　当　质子能量提高到２　３ＭｅＶ时，对这些轻元素和ｃ　・９Ｏ・　三　：＝　骚　摇　轻　ｏｆｓｉｏ　靶　Ｖ１ｎ１ＭｅＶ　Ｌ：６　０　８　　塑　ｌ　０　ｌ　１　１　４　ｌ　６　ｌ　８　能量　ＭｅＶ　图３　２．９和３　１ＭｅＶ‘Ｈｅ离子分析５００ｎｍ　ＳｉＯ，／Ｓｉ样品的　背散射能谱　ＳｉＯ２层的３　１ＭｅＶ能谱用斜线表示　鞴Ｌ荤，互　道数　（ａ）　（ｂ）　周４＂＊ｑ３ａＣｎＯ／ＳｒＴｉＯ￣高温超导薄膜样品的８．８ＭｅＶ　Ｈｅ　离子Ｎ—ＲＩＫＳ能谱（ａ）和２ＭｅＶ　Ｈｅ离子的ＲＢＳ能谱（ｂ）　及Ｏ等元素有散射截面增强效应，　的增强，可提高　分析灵敏度　然而因高能质子的ｄＥ．／ｄ．ｒ小，深度分　辨率变差。图５ａ和ｂ分别是注人‘Ｈｅ的Ｔｉ　自支　嚣　晕，　维普资讯 http://www.cqvip.com

赵国庆：前向反冲分析和非卢瑟福背散射　撑膜和Ｃｕ衬底上　膜的（Ｐ．　）散射能谱。　（原子百分　特征ｘ射线能量低．不能穿过Ｓｉ（Ｉｊ）探测器前的Ｂｅ　膜窗，因而探测不到）。但ＰＩＸＥ分析，一般要求有　３ＭｅＶ（ｐ．　）散射分析灵敏度为ｌ０　才能给出定量结果．通常也不能给出深度　比），分析深度５＃ｍ（Ｎｉ中），深度分辨率７０ｎｍ（Ｎｉ中）。　标准样品，０　０　５　１　０　『５　２　０　２　５　能量Ｅ／ＭｅＶ　囤５注有　Ｈｅ的氘化钛自支撑膜（１　８＃ｍ厚）（ａ）释　铜厚村底上氘化钛薄膜（ｂｌ质子背散射能谱。　Ｈｅ离子　注入能量为５０ｋｅＶ，注入剂量为４×１０　Ｈｅ，，，＇ｃｍ２　３其他离子束分析方法Ｄ．１Ｚ］　除了上述基于弹性碰撞过程的卢瑟福背散射、　非卢瑟福背散射和前向反冲分析法外，利用ＭｅＶ　能量的离子还可做核反应分析（Ｎｕｃｌｅａｒ　Ｒｅａｃｔｉｏｎ，　ＮＲ）和质子或其他离子诱导的ｘ射线分析（Ｐｒｏｔｏｎ　Ｉｎｄｕｃｅｄ　ｘ＿ｒａｙ　Ｅｍｉｓｓｉｏｎ，ＰＩＸＥ）　这些离子束分析　方法．可组合起来对同一样品进行分析．发挥各种分　析方法的特长，获得更多的分析数据。　核反应分析是探测入射粒子与靶原子核发生核　反应产生的带电粒子或ｙ射线，从而确定靶原子种　类和含量。同一元素的不同同位素的核反应情况不　同，因而核反应分析可确定核素。既可利用共振棱　反应．也可利用非共振核反应分析，可获得深度分布　信息，分析灵敏度很高。核反应分析主要做低ｚ元　素的分析，这时要求人射粒子的能量一般在小加速　器能提供的能量范围内　例如　０（ｄ，ｐ）”Ｏ反应，　一９００ｋｅＶ。　离子诱发的ｘ射线分析是探测人射离子（质子　或其他离子）激发靶原子产生的特征ｘ射线．从而　确定靶原子种类和含量．激发出的ｘ射线产额高．ｘ　射线探测器的能量（或波长）分辨率很高．能区分出　各种元素的特征ｘ射线，因而质子激发ｘ射线分析　方法的分析灵敏度和元素鉴别能力很高。一般探测　限能达ｌ０　量级。另外．ＰＩＸＥ分析中．采用Ｓｉ（Ｌｉ）　探测器探测ｘ射线，一次测量就可完成多元素分　析，能分析比Ａｌ重的所有元素（比Ａｌ轻的元素的　分布信息。将质子束聚焦成微米直径的束可对样品　微区做ＰＩＸＥ扫描分析，这就是质子显微镜或质子　微探针。因为质子束在样品中的发散比电子束要小　得多，因而质子显微镜的空间分辨率比电子显微镜　要好，因此常用于金属或微电子器件材料、地矿颗粒　物、生物医学细胞和环境气溶胶等样品的分析中。　参考文献　［１］赵国庆，任炽剐．核分析技术ＥＭ］．北京：原子能出版　社、１９８９．１５６—１６５　［８３　Ｔｅｓｍｅｒ　Ｊ　Ｒ，ｅｔ　ａＬ　Ｈａｎｄｂｏｏｋ　ｏｆ　Ｍｏｄｅｍ　Ｉｏｎ　Ｂｅａｍ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　Ａｎａｌｙｓｉｓ　Ｍ］．Ｐｉｔｔｓｂｕｒｇｈ：Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　Ｒｅ—　ｓｅａｒｃｈ　ＳｏｃｉｅｔＹ．１９９５　８３］３８．４８１—５０８　Ｚｓ３　Ｅｃｙｅｒ　Ｊ　Ｌ，ｅｔ　ａ１．ＴｈｅＵｓｅ　ｏｆ　Ｌｉ　ａｎｄ。　ＣＩｉｏｎＢｅａｍｓｉｎ　ＳｕＨａｃｅ　Ａｎａｌｙｓｉｓ［ｊ］．Ｎｕｃｌ　ＩｎｓｔｒＭｅｔｈ，１９７８．１４９：２７１．　［４］Ｔｈｏｍａｓ　Ｊ　Ｐ．ｅｔ　ａｌ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｌｅｍｅｎｔｓ　Ｄｅｐｔｈ—ｐｒｏｆｉｔｉｎｇ　ｕ　ｓｉｎｇ　ｔｉｍｅ－ｏｆ—ｆｌｉｇｈｔ　ａｎｄ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ　ｏｆ　Ｒｅｃｏｄｓ［Ｊ］　Ｎｕｃｌ　Ｉｎｓｔｒ　Ｍｅｔｂ．１９８Ｇ．Ｂ］５　４４３　４５２　５］Ｒｏｓｓ　Ｇ　Ｇ，ｅｔ　ａｌ　Ｄｅｐｔｌ￣ｐｒｏｆｉｌｉｎｇ　ｏｆ　Ｈｙｄｒｏｇｅｎ　ａｎｄ　Ｈｅ－　ｌｉｕｍ　Ｉｓｏｔｏｐｅｓ　ｂｙ　Ｍｅａｎｓ　ｏｆ　ｔｈｅ　ＥＲＤ　ＥＸＢ　ｒｅｅｈｎｌｑｕｅ　口］．Ｎｕｃｌ　Ｉｎｓｔｒ　Ｍｅｔｈ．１９９２，Ｂ６２：４８１一，１９２．　Ｅ８］　ｊ￣ｓｓＦＩｌａｎｉｌ　Ｗ．ｅｔ　ａ１．ＥＲＤＡ　Ｗｉｔｈ　Ｖｅｒｙ　Ｈｅａｖｙ　ｉｏｎ　Ｂｅａｎｓ［Ｊ］．Ｎｕｃｌ　Ｉｎｓｔｒ　Ｍｅｔｈ，１９９６，Ｂ１１８：２４２　２５０．　Ｃ７２　Ｄｏｙｌｅ　Ｂ　Ｌ、ｅｔ　ａ１．Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ　ｆｏｒ　Ｐｒｏｆｉｌｉｎｇ　Ｈ　ｗｉｔｈ　２　５ＭｅＶ　Ｖａｎ　ｄｅ　Ｇｒａａｆｆ　Ａｃｃｅｌｅｒａｔｏｒｓ［Ｊ］．Ａｐｐｌ　Ｐｈｙｓ　Ｌｅｔｔ，１９７９，３４：８１１—８１３．　［８］　施立群．博士后论文．复旦大学现代物理研究所一　１９９９．５．　Ｅ９３　Ｃｈｕ　Ｗｅｉｋａｎ，ｅｔ　ａｌ　Ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｌｎｇ　Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ［Ｍ］．　Ｎｅｗ　Ｙｒｏｋ　Ａｃａｄｅｍｉｃ　Ｐｒｅｓｓ，ｌ９７８．２１ｏ一２２０．　－＿１０３　Ｈｕｂｂａｒｄ　Ｋ　Ｍ，ｅｔ　ａｌ、Ｈｉｇｈ　Ｅｎｅｒｇｙ．Ｈｅｌｉｕｍ　ｅＢｃｋｓｃａｔ—　ｔｅｒｉｎｇ　ｆｏｒ　ｔｈｅ　Ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎａｌ　Ａｎａｌｙｓｉｓ　ｏｆ　Ｔｈｉｎ—ｆｉｌｍ　Ｏｘｉｄｅ－ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓＬＡ－．Ｔｅｓｍｅｒ　Ｊ　Ｒ　ｅｔ　ａ１．Ｈｉｇｈ　Ｅｎｅｒｇｙ　ａｎｄ　Ｈｅａｖｙ　ｌｏｎ　Ｂｅａｍ　ｉｎ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　Ａｎａｌｙｓｉｓ　ｅｄｓＥＣ］．Ｐｅｎｎｓｙｌｖａｎｉａ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　Ｒｅｓｅａｒｃｈ　Ｓｏｃｉｅｔｙ，　１９９０，１５５—１　７３．　：】］］Ｂｌｅｗｅｒ　Ｒ　ｓ　Ｓｏｍｅ　Ｐｒａｃｆｉｃａ］Ａｓｐｅｃｔｓ　ｏｆ　Ｄｅｐｔｈ　Ｐｒｏｆｉ　ｌｉｇｎ　Ｇａｓｅｓ　ｉｎ　Ｍ４ｔａｌｓ　ｂｙ　Ｐｒｏｔｏｎ　ＩＮｍｋｓｃａｔｔｅｆｉｎｇ：Ａｐ　ｐｌｉｃａｔｉｏｎ　ｔｏ　Ｈｅｌｉｕｍ　ａｎｄ　Ｈｙｄｒｏｇｅｎ　Ｉｓｏｔｏｐｅｒ一１３　Ｍｅｙｅｒ　Ｏ，ｅｔ　ａ１．１ｏｎ　ｍ　Ｓｕｒｆａｃｅ　Ｌａｙｅｒ　Ａｎａｌｙｓｉｓ　ＥＣ３．Ｎｅｗ　Ｙｏｒｋ：Ｐｌｅｎｕｍ　Ｐｒｅｓｓ，１９７６　１８７　１９９　：１２］Ｚｉｅｇｌｅｒ　Ｊ　Ｎｅｗ　Ｕｓｅｓ　ｏｆ　Ｉｏｎ　Ａｃｃｅｌｅｒａｔｏｒｓ］Ｍ］Ｎｅｗ　Ｙｏｒｋ　Ｐｌｅｎｕｍ　ＰＴｅｓｓ．１９７５　１５９　２２８，３５５　４６５