（12）发明专利申请
（21）申请号 CN202010345511.2 （22）申请日 2020.04.27
（71）申请人 上海华力微电子有限公司
地址 201315 上海市浦东新区良腾路6号
（10）申请公布号 CN111370313A
（43）申请公布日 2020.07.03
（72）发明人 梁启超;蔡彬;章晶;黄冠群
（74）专利代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 曹廷廷
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
NMOS器件的制备方法
（57）摘要
本发明提供一种NMOS制备方法，包括：
提供一衬底，所述衬底上形成有栅极结构和介质层，所述栅极结构覆盖部分衬底，所述介质层覆盖所述栅极结构和所述衬底。在介质层上形成应力层，与现有工艺中在两道侧墙完成之后沉积应力层相比，所述应力层与沟道之间距离缩短了，从而减少应力传递过程中的损失，增加了沟道的电子迁移率。然后，去除部分所述应力层，并使部分所述介质层裸露且剩余的所述应力层覆盖所
述栅极结构的侧壁。以剩余的所述应力层作为掩膜，对所述衬底执行LDD离子注入工艺，再去除剩余的所述应力层。故所述NMOS器件的制备方法不仅能够提高电子的迁移率，还减少工艺流程，降低成本，提高制备效率。
法律状态
法律状态公告日
2020-07-03 2020-07-03 2020-07-28
法律状态信息
公开 公开
实质审查的生效
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权利要求说明书
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说明书
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