专利名称：超细晶粒多晶硅薄膜的气相沉积方法专利类型：发明专利
发明人：金海元,禹相浩,赵星吉申请号：CN201080018636.9申请日：20100412公开号：CN102428539A公开日：20120425
摘要：根据本发明，一种超细晶粒多晶硅薄膜的气相沉积方法包括以下步骤：在其中装载有衬底的腔室内部形成氮气氛；并通过将源气体供应至所述腔室内来在所述衬底上气相沉积多晶硅薄膜；所述源气体包括，硅基气体、氮基气体和磷基气体。所述形成氮气氛的步骤可以包括将所述氮基气体供应至所述腔室内的步骤。
申请人：株式会社EUGENE科技
地址：韩国京畿道
国籍：KR
代理机构：北京三友知识产权代理有限公司
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