专利名称：金属氧化物半导体器件的制造方法专利类型：发明专利发明人：吴汉明
申请号：CN200610119145.9申请日：20061205公开号：CN101197286A公开日：20080611
摘要：本发明公开了一种金属氧化物半导体器件的制造方法，包括：在半导体衬底上形成栅极、源区和漏区，所述栅极两侧具有侧壁间隔物；对所述栅极、源区和漏区进行等离子体注入，使表面达到非晶化；在所述栅极、源区和漏区表面淀积金属；对所述金属进行热退火形成金属硅化物层。本发明的方法能够以高效的方式形成阻挡层，降低在源/漏区形成钉轧(spriking)的风险，而且能够降低成本。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：逯长明
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