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高压ESD器件版图结构以及包含该版图结构的芯片

来源：飒榕旅游知识分享网

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN2013103719.0 （22）申请日 2013.08.14

（71）申请人上海华力微电子有限公司

地址 201203 上海市浦东新区高科技园区高斯路568号

（10）申请公布号 CN103400839A

（43）申请公布日 2013.11.20

（72）发明人吴健;谭颖

（74）专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人陆花

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（）发明名称

高压ESD器件版图结构以及包含该版图结构的芯片

（57）摘要

本发明提供了一种高压ESD器件版图结构

以及包含该版图结构的芯片。该高压ESD器件版图结构包括：半导体衬底，其具有高压阱区；器件栅氧区，其限定该半导体衬底的有源区；漂移区，其形成在该器件有源区的外围；杂质区，其形成在漂移区的下方，但小于有源区宽度；源极，漏极配置在杂质区中；器件栅区，位于有源区的上方；场板区，位于漂移区的上方；其中，器件栅区及有源区宽度伸出杂质区。

法律状态

法律状态公告日

2013-11-20 2013-12-18 2016-03-02

公开

实质审查的生效授权

法律状态信息

公开

法律状态

实质审查的生效授权

权利要求说明书

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说明书

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