多晶硅镀膜异常硅片表面的处理方法

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（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201410110366.4 （22）申请日 2014.03.24

（71）申请人吉林庆达新能源电力股份有限公司

地址 136001 吉林省四平市铁东区烟厂路1118号

（10）申请公布号 CN104952969A

（43）申请公布日 2015.09.30

（72）发明人丁彦龙;刘万学;曲爽;王月;王磊;李岩峰;韩丽;侯文会（74）专利代理机构吉林春市新时代专利商标代理有限公司

代理人石岱

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（）发明名称

多晶硅镀膜异常硅片表面的处理方法

（57）摘要

本发明涉及一种将晶硅太阳能电池异常镀

膜后的硅片表面氮化硅膜去除的方法，该方法包括氢氟酸去膜和混酸处理两个步骤，本发明处理方法使得经过处理的硅片表面氮化硅膜完全去除干净，硅片表面不会有残留物，对于硅片的绒面损伤很小，方便硅片的再一次制绒，保证生产流程的顺利进行等优点。

法律状态

法律状态公告日

2015-09-30 2015-11-04 2017-06-06

公开

法律状态信息

公开

实质审查的生效

发明专利申请公布后的视为撤回

法律状态

实质审查的生效

发明专利申请公布后的视为撤回

权利要求说明书

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说明书

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