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半导体激光器芯片频率响应的测量方法

来源:飒榕旅游知识分享网
(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(21)申请号 CN03107378.6 (22)申请日 2003.03.25

(71)申请人 中国科学院半导体研究所

地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

(10)申请公布号 CN1533000A (43)申请公布日 2004.09.29

(72)发明人 徐遥;王圩

(74)专利代理机构 中科专利商标代理有限责任公司

代理人 汤保平

(51)Int.CI

H01S5/00;

权利要求说明书 说明书 幅图

()发明名称

半导体激光器芯片频率响应的测量方法

(57)摘要

一种半导体激光器芯片频率响应的测量方

法,包括如下步骤:制作微带线;制作测试和校准用金属底板;将微带线焊接在金属底板上,并焊上与矢量网络分析仪匹配的射频同轴连接器和匹配电阻,做成测试夹具和校准夹具;把焊在热沉上的芯片焊在测量夹具上制成被测器件;用矢量网络分析仪加光探测器测量被测器件的频率响应;测量校准夹具的频率响应;测量校准夹具的

频率响参数;用下列公式求出测试夹具的转移矩阵;得到测试夹具的频率响应;利用测试系统测出被测器件的网络参数即被测器件的频率响应,减去测试夹具的频率响应得到芯片的频率响应。

法律状态

法律状态公告日

2004-09-29 2004-12-15 2006-10-04 2009-05-27

法律状态信息

公开

实质审查的生效 授权

专利权的终止(未缴年费专利权终止)

法律状态

公开

实质审查的生效 授权

专利权的终止(未缴年费专利权终止)

权利要求说明书

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说明书

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