专利名称：半导体发光元件及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：冈贵郁,楠政谕,阿部真司申请号：CN201010142157.X申请日：20100301公开号：CN101826585A公开日：20100908
摘要：本发明涉及半导体发光元件及其制造方法。在n型GaN衬底(10)(半导体衬底)上设置有半导体层(12)。半导体层(12)具有活性层(26)，并形成有波导脊(40)。p侧电极(44)(电极)接触于波导脊(40)的顶部的整个面。SiO膜(46)(绝缘膜)覆盖波导脊(40)的侧面、p侧电极(44)的侧面、以及p侧电极(44)的上表面的两端部分，不覆盖p侧电极(44)的上表面的部分。由此，能够降低工作电压，并防止电极剥落。
申请人：三菱电机株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：中国专利代理()有限公司
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