（12）发明专利申请
（21）申请号 CN200910302100.9 （22）申请日 2009.05.05 （71）申请人 浙江大学
地址 310027 浙江省杭州市浙大路38号
（10）申请公布号 CN101540339A
（43）申请公布日 2009.09.23
（72）发明人 韩成功;韩雁;张斌;张世峰;胡佳贤 （74）专利代理机构 贵阳中新专利商标事务所
代理人 吴无惧
（51）Int.CI
H01L29/78; H01L29/06; H01L23/52;
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
高边NLDMOS结构
（57）摘要
本发明公开了一种高边NLDMOS结构。本
发明在原有高边NLDMOS的基础上，将原来在P衬底(201)与N型外延(203)之间的全区段的N型埋层(202)改为部分区段的N型埋层(202)。一般来说，N型埋层(202)的长度为P型衬底(201)全长的三分之一到三分之二。通常将N型埋层(202)的
长度制作为P型衬底(201)全长的二分之一左右。本发明既阻止了器件开态时源和衬底之间发生穿通击穿，又使关态时器件的电势线在源端和漏端均匀分布，提高了器件的关态击穿电压，而且不增加外延层厚度和器件的面积、不影响器件的性能。本发明可应用于马达驱动、电源管理、平板显示器驱动等芯片的电路中。
法律状态
法律状态公告日
2009-09-23 2010-06-09 2011-11-23
法律状态信息
公开
实质审查的生效
发明专利申请公布后的驳回法律状态
公开
实质审查的生效
发明专利申请公布后的驳回
权利要求说明书
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说明书
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