专利名称：用于深度成像和其它应用的电吸收调制器专利类型：发明专利发明人：H·墨赫赛尼
申请号：CN201680018769.3申请日：20160301公开号：CN107430294A公开日：20171201
摘要：本发明提供了一种用于提供对象的深度图像的TOF深度成像系统，包括：被配置用于以其特征在于波长λ和调制频率f的调幅光照射对象的光源；被配置用于接收并以调制频率f调制来自对象的反射光的表面法向电吸收调制器；以及被配置用于接收并探测来自电吸收调制器的调制反射光的图像传感器。该电吸收调制器包括半导体顶掺杂层、具有与顶掺杂层相反的极性的半导体底掺杂层，以及在顶掺杂层和底掺杂层之间的有源层，该有源层被配置为包括被配置用于提供交替的量子阱和势垒的多个半导体子层的超晶格结构，该有源层包括被配置用于展示离域电子‑空穴行为的量子阱。
申请人：西北大学
地址：美国伊利诺斯
国籍：US
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：郭思宇
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