专利名称:薄膜太阳能电池的制造装置和方法以及薄膜太阳能
电池
专利类型:发明专利
发明人:菊池正志,增田淳,近藤道雄申请号:CN200980128616.4申请日:20090724公开号:CN102105990A公开日:20110622
摘要:一种用于制造增加膜特性均匀性的薄膜太阳能电池的装置。在输送衬底(S)从一个卷筒(R1)到另一个卷筒(R2)的过程中,在所述卷筒对(R1,R2)之间沿输送方向(D)区隔开的多个膜形成隔室(23A)中形成多个半导体层的层叠体的电能生成层(12)。在每个膜形成隔室(23A)中,在所述输送方向上,朝向所述衬底(S)布置多个扁平应用电极(32)。每个扁平应用电极(32)包括提供有VHF频带内的高频电源的电源端子(36)。当所述高频电源的波长由λ表示时,将所述扁平应用电极(32)的边缘与电源端子(36)之间在正交于所述输送方向的方向上的距离设置为比λ/4短。
申请人:株式会社爱发科,行人产业技术综合研究所
地址:日本国神奈川县
国籍:JP
代理机构:上海嘉和知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人:杨嘉和
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