专利名称：低折射率膜、其沉积方法以及防反射膜专利类型：发明专利
发明人：竹友干裕,河岛利孝,大岛宜浩申请号：CN200880021999.0申请日：20080520公开号：CN101688292A公开日：20100331
摘要：本发明提供了一种低折射率膜的沉积方法、通过低折射率膜的沉积方法沉积的低折射率膜、以及包括该低折射率膜的防反射膜，通过该方法可以形成具有均匀的膜内组成分布并且具有低折射率的薄膜。在包括通过反应性溅射法在基板(11)上沉积由MgF－SiO构成的低折射率膜的低折射率膜的沉积方法中，使用由MgF－SiO的烧结体构成的靶(4A，4B)、通过在惰性气体和O的混合气体的气氛中在基板(11)与靶(4A，4B)之间施加频率在20至90KHz范围内的交流电压来进行溅射沉积。
申请人：索尼株式会社
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：北京康信知识产权代理有限责任公司
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