专利名称:OTP器件(五)专利类型:发明专利发明人:徐向明,胡晓明申请号:CN200310109233.7申请日:20031210公开号:CN1627526A公开日:20050615
摘要:本发明公开了一种OTP器件,将电容型晶体管直接做在衬底上。采用这样的结构,使本发明在普通逻辑工艺中,不追加任何光刻及工艺步骤的情况下,即可达到内藏高密度,高性能OTP器件的目的。本发明利用Native(本征)MOS电容结构的OTP器件不仅能大大缩小版图面积,同时达到提高耐压和提高有效电容效率等功效。
申请人:上海华虹NEC电子有限公司
地址:201206 上海市浦东川桥路1188号
国籍:CN
代理机构:上海浦一知识产权代理有限公司
代理人:丁纪铁
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