专利名称：一种高离子电导率的掺氯钼磷酸盐玻璃及其制备方
法
专利类型：发明专利
发明人：张宗辉,任进军,胡丽丽申请号：CN201910586447.4申请日：20190701公开号：CN110451781A公开日：20191115
摘要：一种具有高离子电导率且透明的掺氯钼磷酸盐玻璃及其制备方法，掺氯钼磷酸盐玻璃的摩尔组分为：14.81～19.05mol％的LiCl，29.63～38.10mol％的LiO，9.52～51.85mol％的MoO和3.70～33.33mol％的PO。本发明采用铂金坩埚，在高温炉中将原料药品熔化并浇铸在铸铁模具上，制备得到掺氯钼磷酸盐玻璃。通过调整MoO的含量，使得该系列的掺氯钼磷酸盐玻璃电解质在常温下的离子电导率提高了250倍左右，达到了10S/cm水平，且化学稳定性得到明显改善。本发明具有良好的可见光透过性和高离子电导率，可以很容易地拉制成光纤。在全固态锂电池、光遗传学和电生理学中有极大的应用前景。
申请人：中国科学院上海光学精密机械研究所
地址：201800上海市嘉定区清河路390号
国籍：CN
代理机构：上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人：张宁展
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