年２０１１９月 ＳｅｃｔｒｏｓｃｏａｎｄＳｅｃｔｒａｌＡｎａｌｓｉｓ ｐｐｙｐｙ ２３２８Ｖｏｌ．３１，Ｎｏ．９，２３３１－ｐｐ，Ｓｅｔｅｍｂｅｒ２０１１ ｐ
（）ＩｒＦＶＫ体系发光特性的研究３掺杂Ｐｐｐｙ
高利岩，赵谡玲＊，徐 征，张福俊，孙钦军，张妍斐
北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室，光电子技术研究所，北京 １０００４４
（）摘 要 对蓝色磷光材料Ｉ和电致发光（特性进行了ｒＦＶＫ薄膜的光致发光（ＰＬ）ＥＬ）ｐｐｙ３不同浓度掺杂Ｐ／／（）／／／／研究。并制备了结构为ＩＴＯＰＥＤＯＴ：ＰＳＳＰＶＫ：ＩｒＦＢＣＰＡｌＬｉＦＡｌ的蓝色磷光有机电致发光器ｐｐｙｑ３３
（）件。实验结果发现，磷光材料掺杂浓度不同，器件发光特性不同。当ＩｒＦＥＬ光谱ｐｐｙ３掺杂浓度比较低时，（）（）中可以观察到Ｐ会发生浓度猝灭；当ＩＶＫ较弱的发光；当ＩｒＦｒＦｐｐｙｐｐｙ３掺杂浓度较高时，３掺杂浓度比（）较适中时，ＥＬ光谱中观察不到ＰＶＫ的发光，只有ＩｒＦ－Ｖ－Ｌ特性的比较，当掺杂浓度ｐｐｙ３的发光。通过Ｉ为４％时，器件的光电特性最好。
（）关键词 ＰＶＫ；ＩｒＦｐｐｙ３；能量传递；蓝色磷光
：／（）中图分类号：Ｏ４８２．３ 文献标识码：Ａ ＤＯＩ１０．３９６４０５９３２０１１０９２３２８０４．ｉｓｓｎ．１０００－－－ｊ
料。通常将磷光材料作为客体材料掺杂到具有宽带隙的主体
引 言
［１］
９８７年Ｔａｎ 自１ｇ首次实现低直流电压驱动的高亮度有
机电致发光器件（以来，ＯＯＬＥＤ）ＬＥＤｓ以其响应速度快、视］２５－，在平板显示应用中显现角宽、低能耗和效率高等特点［
，是材料中。实验中常用的基质材料为聚乙烯基咔唑（ＰＶＫ）一种常用的宽禁带蓝色发光光电聚合物，具有良好的成膜性，较高的玻璃化温度和空穴迁移率。
近年来，很多研究报道了一些有关Ｉｒ配合物的的电致和
［１４］
（）光致发光特性，比如绿色有机磷光材料Ｉ和蓝色有ｒｐｐｙ３［５］
，并从实验和理论上都进行了比较详细机磷光材料ＦＩｒｉｃ１ｐ
出巨大潜力，越来越引起人们的广泛关注。为了实现全色显示，首先要求红、绿、蓝三基色的电致发光器件实用化。目前，红光和绿光ＯＬＥＤｓ已基本能满足要求，而蓝光器件的性能还不能满足实际应用，尤其是蓝光器件效率比较低，在
５，６］
。以荧光材料一定程度上严重制约了全彩色显示的发展［
（）的分析研究。而基于蓝色有机磷光材料ＩｒＦｐｐｙ３的掺杂体系发光特性研究报道的比较少。本文选用ＰＶＫ作为主体材（）（）料，ＩｒＦｒＦｐｐｙｐｐｙ３作为客体材料，研究了不同浓度Ｉ３掺杂Ｐ和ＥＶＫ体系的光致发光（ＰＬ）Ｌ特性，并对该掺杂体系的发光机理进行了研究。
，由于三线态激子没有得到有效的利用，为发光层的ＯＬＥＤｓ只有单线态激子辐射发光，因此发光内量子效率始终不能超
［］
过２能有效５％的理论限制７。而磷光材料的电致发光（ＥＬ）
１ 实 验
（）ＶＫ作为基质材料，ＩｒＦ 实验中Ｐｐｐｙ３作为掺杂剂。首
（）先将ＰＶＫ和ＩｒＦ０和ｐｐｙ３分别溶于氯仿中，配成浓度为１·ｍ（）５ｍＬ－１的溶液，然后把ＩｒＦＶＫ按一定质量ｇｐｐｙ３和Ｐ（）比混合，ＩｒＦ％，３％，４％，５％。ｐｐｙ３的掺杂浓度分别为２（）并以ＩｒＦＶＫ作为发光层，制备了多层结构的ｐｐｙ３掺杂Ｐ／有机电致发光器件，器件结构为：ＩＴＯＰＥＤＯＴ∶ＰＳＳ（４０／（）／／／ｎｍ）ＰＶＫ∶ＩｒＦ４０ｎｍ）ＢＣＰ（１５ｎｍ）Ａｌ１０ｎｍ）ｐｐｙｑ３（３（
利用单线态和三线态激子，内量子效率从理论上可以达到
［，］
１００％８９，是荧光器件的４倍，所以，近几年磷光有机电致
）成为有机电致发光领域的又一研究热发光器件（ＰＨＯＬＥＤｓ］１０１２－。点，是提高器件发光效率的主要手段［
））目前，和铂（两种重金属离子ＰＨＯＬＥＤｓ中以铱（ＩｒＰｔ配合物掺杂的ＥＬ效率最高，其中比较成熟的主要为Ｉｒ配合
］１３１５－。因为Ｉ物［ｒ配合物三线态寿命比较短，并且具有较高的
发光效率，是研究得最多也是最有应用前景的一种磷光材
，修订日期：２０１０１１１０２０１１０３２６－－－－ 收稿日期：
），教育部博士点基金项目（），北京市自然１０９７４０１３，１０８０４００６，１０７７４０１３２００９０００９１１００２７，２００７０００４０２４ 基金项目：国家自然科学基金项目（
），国家杰出青年科学基金项目（），国家（科学基金项目（项目（和优秀博士生科技创新基金１１０２０２８６０８２５４０７９７３）２０１０ＣＢ３２７７０５））项目（资助１４１１０６５２２
：１９８０年生，北京交通大学光电子技术研究所博士研究生 ｅａｉｌ０８１１８３５５＠ｂｔｕ．ｅｄｕ．ｃｎ 作者简介：高利岩，－ｍｊ
：ａｉｌｓｌｚｈａｏｔｕ．ｅｄｕ．ｃｎ＊通讯联系人 ｅ－ｍ＠ｂｊ
第９期 光谱学与光谱分析／。其中，ＬｉＦ（１ｎｍ）ＡｌＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ作为空穴缓冲层，ＰＶＫ
作为空穴传输层，ＢＣＰ作为空穴阻挡层，Ａｌｑ３作为电子传输层，ＬｉＦ作为电子注入层。在制备发光器件前，将ＩＴＯ玻璃衬底分别用洗涤剂、乙醇、丙酮和去离子水超声清洗，然后用氮气吹干；再对清洁好的ＩＴＯ表面进行臭氧处理，除去表面的碳污染，提高功函数，以利于空穴从ＩＴＯ阳极注入到有机层中。将ＰＥＤＯＴ∶ＰＳＳ旋涂于处理好的ＩＴＯ衬底上，在，除去多余的水分。干燥箱中１１０℃热处理１０ｍｉｎＰＥＤＯＴ∶．４５μｍ的水系过滤头进行过ＰＳＳ在旋涂之前，先用孔隙为０
（）滤。然后将ＰＶＫ和ＩｒＦＥＤＯＴ层ｐｐｙ３的混合溶液旋涂在Ｐ上面。有机层ＢＣＰ和ＡｌｉＦ和Ａｌ均通过热蒸发ｑ３及无机层Ｌ
的方法沉积。
本文中ＥＬ和ＰＬ光谱都用ＳＰＥＸ公司生产的ｆｌｕｏｒｏｌｏ－ｇ３型荧光光谱仪测量得到。器件的电流－电压－亮度特性用Ｎｅ－ｗｏｔ１８３０ＫｅｉｔｈｌｅＳｏｕｒｃｅ２４１０作为直流电源。 －Ｃ进行测量， ｐｙ 实验中所有测试均用未封装的器件在室温和空气环境下进行（）的。实验中所用主体材料ＰＶＫ和磷光材料ＩｒＦｐｐｙ３的分子结构式和器件结构如图１所示。
２３２９
：ＡＦｉ．２ （ａ）ｂｓｏｒｔｉｏｎｓｅｃｔｒａｏｆＩｒ（ＦＰＶＫａｎｄＩｒ ３，ｇｐｐｐｐｙ）
（））：ＦｏｅｄＰＶＫ；（ｂ１：ａｂｓｏｒｔｉｏｎｓｅｃｔｒｕｍｏｆ ３ｄｐｐｙｐｐｐ
（）ＩｒＦ２：ＰＬｅｍｉｓｓｉｏｎｓｅｃｔｒｕｍｏｆＰＶＫ ３；ｐｐｙｐ
（）Ｆｉ．１ ＣｈｅｍｉｃａｌｓｔｒｕｃｔｕｒｅｏｆＰＶＫａｎｄＩｒＦ ３，ｇｐｐｙ
ａｎｄｃｏｎｆｉｕｒａｔｉｏｎｏｆｄｅｖｉｃｅ ｇ
２ 结果与讨论
２．１ 光致发光特性
（）为了研究ＩｒＦＶＫ体系的发光特性，我们ｐｐｙ３掺杂Ｐ（）（）首先测量了ＩｒＦＰＶＫ及ＩｒＦＶＫ混合体ｐｐｙｐｐｙ３、３掺杂Ｐ（）（）系的吸收特性，如图２所示。ａＩｒＦ８８ｎｍ附近ｐｐｙ３约在３有较强的吸收；ＰＶＫ在３３１和３４５ｎｍ处有两个较强的吸收（）主要表现为Ｐ峰；在ＰＶＫ∶ＩｒＦＶＫ的吸ｐｐｙ３混合体系中，（）收，这是由于ＩｒＦｐｐｙ３的掺杂浓度比较小。为了进一步研（）究ＰＶＫ和ＩｒＦＶＫ的ｐｐｙ３之间的能量传递，我们测试了Ｐ（）（所ＰＬ光谱和ＩｒＦｂ）ｐｐｙ３的吸收光谱之间的关系，如图２
（）示。由图可以看出，ＰＶＫ的ＰＬ光谱和ＩｒＦｐｐｙ３的吸收光谱有较大重叠。根据Ｆｒｓｔｅｒ能量传递理论，光谱重叠面积（）越大，能量转移概率越高。因此，ＰＶＫ和ＩｒＦｐｐｙ３之间可能存在能量传递。
（）ｒＦＬ 另外，我们还比较了Ｉｐｐｙ３不同掺杂浓度薄膜的Ｐ
（）特性，为了方便比较，将光谱按ＩｒＦｐｐｙ３的发光峰进行了）归一化，如图３（所示。从图中可以看到，当掺杂浓度为ａ２％时，ＰＶＫ的发光还很强。随着掺杂浓度的增加，ＰＶＫ的
）：Ｆｉ．３ （ａＰＬｓｅｃｔｒａｏｆｆｉｌｍｓｗｉｔｈｄｉｆｆｅｒｅｎｔｄｏｉｎｃｏｎｃｅｎ －ｇｐｐｇ
：ＥｔｒａｔｉｏｎｓｏｆＩｒ（Ｆｂ）ｘｃｉｔａｔｉｏｎｓｅｃｔｒｕｍｏｆ ３；（ｐｐｙ）ｐ
（）ＰＶＫ∶ＩｒＦ３ｐｐｙ
２３３０
光谱学与光谱分析 第３１卷
）也相应增强，从而引起器件性能下降。从图５（中可以看ｃ出，当掺杂浓度为４％时，器件效率最高，说明此时能量转移的最充分。
（）发光逐渐减弱，ＩｒＦｐｐｙ３的发光逐渐增强。当掺杂浓度达（到５％时，ＰＶＫ的发光基本消失，只有ＩｒＦｐｐｙ）３的发光。实验中激发波长采用的是ＰＶＫ的最大吸收峰３４５ｎｍ，所以（）激发光能量应该主要被ＰＶＫ吸收，然后传递给ＩｒＦｐｐｙ３。（）这说明ＰＶＫ和ＩｒＦｒｐｐｙ３之间发生了能量传递。所以，当Ｉ（）Ｆｐｐｙ３掺杂浓度比较低时，主体材料向客体材料的能量传递还不够充分。随着浓度的增加，ＰＶＫ的发光在减弱而Ｉｒ（）Ｆｐｐｙ３的发光在增强，这是由于两者之间能量传递也在增加。当掺杂浓度达到５％时，ＰＶＫ的发光峰几乎观察不到，（）说明主体的能量充分转移到客体上。ＩｒＦｐｐｙ３的发光峰随（）着掺杂浓度的增加发生红移，可能是由于ＩｒＦｐｐｙ３分子的
１５］
。当监测波长为４极性所致［来自Ｉ８０ｎｍ（ｒ（Ｆｐｐｙ）３的发
（）时，光）ＰＶＫ∶ＩｒＦＶＫ的激发峰，ｐｐｙ３激发光谱对应的是Ｐ（）（）如图３所示。由此可以进一步说明ＩｂｒＦｐｐｙ３的激发来自ＰＶＫ的吸收。２．２ 电致发光特性
（）图４为驱动电压为１２Ｖ时，ＩｒＦｐｐｙ３不同掺杂浓度器件的电致发光光谱图，掺杂浓度分别为２％，３％，４％，５％。（）从图中可以看出，当ＩｒＦＰＶＫ发ｐｐｙ３掺杂浓度比较低时，（）光比较强；随着ＩｒＦＰＶＫ发光逐渐ｐｐｙ３掺杂浓度的增加，变弱。当掺杂浓度达到４％时，ＰＶＫ发光几乎完全消失，只（）（）能观察到ＩｒＦｒＦｐｐｙｐｐｙ３发光。这是由于当Ｉ３掺杂浓度（）比较低时，ＰＶＫ向ＩｒＦｐｐｙ３的能量传递不完全，随着掺杂浓度的增加，能量传递逐渐增大，而掺杂浓度过高，三线态激子会发生浓度猝灭，影响器件发光性能。
），）Ｆｉ．５ Ｃｕｒｒｅｎｔｄｅｎｓｉｔｖｏｌｔａｅ（ａｌｕｍｉｎａｎｃｅｖｏｌｔａｅ（ｂａｎｄ －－ｇｙｇｇ
）ｃｕｒｒｅｎｔｅｆｆｉｃｉｅｎｃｃｕｒｒｅｎｔｄｅｎｓｉｔｃｃｕｒｖｅｓｏｆｄｅｖｉｃｅｓ － ｙｙ（
Ｆｉ．４ ＥＬｓｅｃｔｒａｏｆｄｅｖｉｃｅｓｗｉｔｈｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ｇｐ
（）ｄｏｉｎｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎｓｏｆＩｒＦ ３ｐｇｐｐｙ
、亮度－电压（及电流效Ｊ－Ｖ）Ｌ－Ｖ） 器件的电流密度－电压（
（），（））率关系特性曲线分别如图５和（所示。由图可以看ａｂｃ出，器件都具有很好的整流特性，这说明器件具有良好的光（）电特性。在相同驱动电压下，随着ＩｒＦｐｐｙ３掺杂浓度增加，器件亮度先增大后减小，当掺杂浓度为４％时，器件亮度最（大。当掺杂浓度为５％时，亮度反而变小。这可能由于ＩｒＦ－ｐ）ｐｙ３浓度过低时，主客体材料之间能量传递不完全，出现了
（ＰＶＫ的发光，从而导致器件亮度和效率都比较低。当ＩｒＦ－ｐ）ｐｙ３浓度过高，有机分子之间相互作用增强，浓度猝灭效应
３ 结 论
（）ｒＦＶＫ的光致发光（ＰＬ） 研究了Ｉｐｐｙ３不同浓度掺杂Ｐ
和电致发光（特性，实验结果表明，主体材料ＰＥＬ）ＶＫ和客（）（）体材料ＩｒＦｒＦｐｐｙｐｐｙ３之间存在能量传递，随着Ｉ３掺杂浓度的增加，主客体之间能量传递增强，掺杂体系发光性能也随之发生变化。当掺杂浓度较低时，ＰＶＫ发光很强，随着（）掺杂浓度增加，ＰＶＫ发光逐渐消失，只有ＩｒＦｐｐｙ３发光。（掺杂浓度过高，会导致浓度猝灭，器件性能变差。当ＩｒＦ－ｐ）％时，器件的光电特性最好。ｐｙ３掺杂浓度为４
第９期 光谱学与光谱分析
２３３１
Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅｓ
［，（）：１］ａｎＣ Ｗ，ＶａｎＳｌｋｅＳＡ．Ａｌ．Ｐｈｓ．Ｌｅｔｔ．１９８７，５１１２９１３． Ｔ ｇｙｐｐｙ
［（，物理学报）２］ｏｕＪＨ，ＬａｎＬＦ，ＸｕＲＸ，ｅｔａｌ．ＡｃｔａＰｈｓ．Ｓｉｎ．２０１０，５９：１２７５． Ｚ ｙ［，３］ｏｏＣ Ｗ，ＪｅｏｎＳＯ，ＹｏｏｋＳＫ，ｅｔａｌ．Ｊ．Ｐｈｓ．Ｄ：Ａｌ．Ｐｈｓ．２００９，４２：１０５１１５． Ｊ ｙｐｐｙ［，（）：４］ｕｉｋｉＡ，ＵｅｍｕｒａＴ，ＺｅｔｔｓｕＮ，ｅｔａｌ．Ａｌ．Ｐｈｓ．Ｌｅｔｔ．２０１０，９６４０４３３０７． Ｆ ｊｐｐｙ［，５］ａｎＨ Ａ，ＬｅｅＤ Ｕ，Ｋｉｍ Ｔ Ｗ，ｅｔａｌ．ＴｈｉｎＳｏｌｉｄＦｉｌｍｓ２００８，５１６：５６４９． Ｂ ｇ
［，Ｋ，Ｍ，，６］ｏｃｃｈｉＭａｓｓｉｍｏａｌｉｎｏｗｓｋｉＪａｎｕｒｈＬｉｓａｅｔａｌ．Ｏｒ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．２０１０，１１：３８８． Ｃ ｐｙｇ ［，，，（）：７］ａｏＹｏｎＰａｒｋｅｒＩａｎＤ，ＹｕＧａｎｅｔａｌ．Ｎａｔｕｒｅ１９９９，３９７６７１８４１４． Ｃ ｇｇ
［，，，（）：８］ａｉＧｕｏｚｈａｎＬｉＨｏｎｉａｎＰａｎＹａｎｚｈｉｅｔａｌ．Ｃｈｉｎ．Ｐｈｓ．Ｂ，２００５，１４１２２５９０． Ｄ ｇｇｊｙ［，Ｍ，（）：９］ｏｈｌｅｎａｎｎｔＭ，ＴａｎｄｏｎＫｕｎａｚｕｍｄａｒＳ，ｅｔａｌ．Ｎａｔｕｒｅ２００１，４０９６８１９４９４． Ｗ ｇｊ［］，，，，１０ａｎＳｈｅｎＳｈａｏＭｉｎｗａｎＳｈａｏＧｕａｎｅｔａｌ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈｓ．Ｌｅｔｔ．２００８，４６０：２００． Ｗ ｇｇｇｇｇｙ ［］，Ｙ，，１１ｓｕｂｏｉＴａｉｕ，ＭｕｒａａｍａＨｉｄｅｕｋｉｅｈＳｈｉｈＪａｅｔａｌ．Ｏｔｉ．Ｍａｔｅｒ．２００７，２９：１２９９． Ｔ － ｊｙｙｙｐ［］，Ｍ，１２ｉｍ ＴａｅｏｎｏｏｎＤａｅｕ．Ｓｎｔｈ．Ｍｅｔ．２０１０，１６０：６７５． Ｋ－Ｙ －Ｇｇｙｙ
［］，Ｗ，Ｑ，（）：１３ｅｉＧａｎｔｉｅａｎＬｉｄｕｏｉｕＹｏｎ．Ａｌ．Ｐｈｓ．Ｌｅｔｔ．２００６，８８１０１０３５０８． Ｌ ｇｇｇｐｐｙ
［］，，，（（，（）：李云白，腾 峰，徐 征）发光学报）１４ＩＹｕｎｂａｉＴＥＮＧＦｅｎＸＵＺｈｅｎｅｔａｌ．Ｃｈｉｎ．Ｊ．Ｌｕｍｉｎ．２００４，２５６６３３． Ｌ － ｇｇ［］，Ｍ，１５ｅｏＹｕＳｅｏｋｏｏｎＤａｅｕ．Ｓｎｔｈ．Ｍｅｔ．２０１０，１６０：１１３． Ｓ － －Ｇｙｙ
（）ＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅＣｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆＰＶＫＤｏｅｄｗｉｔｈＩｒＦ ３ｐｐｐｙ
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，Ｍ，，ＫｅＬａｂｏｒａｔｏｒｏｆＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅａｎｄＯｔｉｃａｌＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎｉｎｉｓｔｒｏｆＥｄｕｃａｔｉｏｎＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＯｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓＴｅｃｈｎｏｌｏ ｙｙｐｙｐｇｙ
，ＢｅｉｉｎＪｉａｏｔｏｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔＢｅｉｉｎ０００４４，Ｃｈｉｎａ １ｊｇｇｙｊｇ
，［ＡｂｓｔｒａｃｔＩｎｔｈｅｒｅｓｅｎｔｗｏｒｋｔｈｅｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ（ＰＬ）ａｎｄｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ（ＥＬ）ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆＴｒｉｓ２２，４ｄｉｆｌｕ －（－－ｐｐ
）］（））（ｒｉｄｉｎｅｏｌｏｒｏｈｅｎｌｉｒｉｄｉｕｍ（ＩｒＦｄｏｅｄｎｖｉｎｌｃａｒｂａｚｏｌｅＰＶＫ）ｗｉｔｈｄｉｆｆｅｒｅｎｔｄｏｉｎｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎｓｗｅｒｅⅢ）（ － ｐｙｐｙ（ｐｙｐｐｙｐｙｐｇ３） ／／ａｂｌｕｅｏｒａｎｉｃｌｉｈｔｅｍｉｔｔｉｎｄｉｏｄｅ（ＯＬＥＤ）ｗｉｔｈｔｈｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓｏｆＩＴＯＰＥＤＯＴ∶ＰＳＳＰＶＫｉｎｖｅｓｔｉａｔｅｄ．Ａｎｄｈｏｓｈｏｒｅｓｃｅｎｔ － ｇｇｇｇｐｐ （）／／／／∶ＩｒｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｓＦＢＣＰＡｌＬｉＦＡｌｗａｓｆａｂｒｉｃａｔｅｄ．Ｔｈｅｅｘｅｒｉｍｅｎｔａｌｒｅｓｕｌｔｓｓｈｏｗｔｈａｔｔｈｅｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅｏｆｄｅｖｉｃｅｓ ｐｐｐｙｑｐ３３（）（），ａｒｅｄｉｆｆｅｒｅｎｔａｓｔｈｅｄｏｉｎｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎｏｆＩｒＦｓｄｉｆｆｅｒｅｎｔ．ＷｈｅｎｔｈｅｄｏｉｎｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎｏｆＩｒＦｓｌｏｗｅｒｔｈｅｌｕ －ｐｇｐｐｙｐｇｐｐｙ３ｉ３ｉ
ｕｅｎｃｈｉｎｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅｏｆＰＶＫｃａｎｂｅｆｏｕｎｄｉｎＥＬｓｅｃｔｒａ．Ｗｈｅｎｔｈｅｄｏｉｎｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎｉｓｔｏｏｈｉｈ，ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎｍａｏｃｃｕｒ． ｑｇｐｐｇｇｙ ，，（）ｔｈｅｄｏｉｎｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎｉｓｓｕｉｔａｂｌｅｔｈｅｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅｏｆＰＶＫｃａｎｎｏｔｂｅｆｏｕｎｄｏｎｌｔｈｅｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅｏｆＩｒＦａｎｂｅＡｓ ｐｇｙｐｐｙ３ｃ ｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｉｃｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｉｎＥＬｓｅｃｔｒａ．Ｉｔｉｓｃｏｎｃｌｕｄｅｄｔｈａｔｔｈｅｄｅｖｉｃｅｗｉｔｈｄｏｉｎｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎｏｆ４％ｈａｓｔｈｅｂｅｓｔｆｏｕｎｄ ｐｐｇｐｐ ａｃｃｏｒｄｉｎｔｏｉｔｓｃｕｒｒｅｎｔｄｅｎｓｉｔｖｏｌｔａｅｌｕｍｉｎａｎｃｅｃｕｒｖｅ． －－ ｇｙｇ
（）；ＫｅｗｏｒｄｓＶＫ；ＩｒＦＥｎｅｒｔｒａｎｓｆｅｒＢｌｕｅｈｏｓｈｏｒｅｓｃｅｎｃｅ Ｐ ｐｐｙｇｙｐｐ３；ｙ
（）ＲｅｃｅｉｖｅｄＮｏｖ．１０，２０１０；ａｃｃｅｔｅｄＭａｒ．２６，２０１１ ｐ
ｏｒｒｅｓｏｎｄｉｎａｕｔｈｏｒ＊Ｃｐｇ
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