专利名称：金属硅化物的制造方法专利类型：发明专利发明人：黄昭元
申请号：CN02118617.0申请日：20020426公开号：CN1453839A公开日：20031105
摘要：一种金属硅化物的制造方法，于具有闸极与汲极/源极的硅基底表面全面性形成金属层，且闸极侧壁具有间隔物；实施第一热处理程序，使金属层与闸极及汲极/源极表面的硅反应形成金属硅化物；去除未参予反应的金属层部分与间隔物；实施离子布植程序；再实施第二热处理程序。具有避免过度消耗硅基底而造成接合漏电的功效。
申请人：矽统科技股份有限公司
地址：台湾省新竹科学园区
国籍：CN
代理机构：北京三友知识产权代理有限公司
代理人：刘朝华
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