GaN HEMT射频器件及其栅极自对准制备方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201511025094.9 （22）申请日 2015.12.30 （71）申请人 桂林电子科技大学

地址 541004 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号

（10）申请公布号 CN105428236A

（43）申请公布日 2016.03.23

（72）发明人 李海鸥;康维华;首照宇;高喜;丁志华;莫如愚;李琦;肖功利;蒋行国;翟江辉;徐卫林 （74）专利代理机构 桂林市持衡专利商标事务所有限公司

代理人 陈跃琳

（51）Int.CI

H01L21/335; H01L29/778;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

GaN HEMT射频器件及其栅极自对准制备方法

（57）摘要

本发明公开了一种GaN？HEMT射频器件及

其栅极自对准制备方法，涉及半导体器件的制作方法技术领域。包括以下步骤：材料结构从下到上包括半绝缘SiC衬底、AlGaN背势垒层、GaN沟道层、AlN插入层、InAlN势垒层；有源区台面隔离；临时栅脚制作；栅脚边墙制作；二次外延区域刻蚀；n+GaN二次外延；源漏极欧姆接触制

作；表面平坦化；临时栅脚保形移除；T形栅制作。本发明采用栅极自对准工艺，可实现很小的栅源、栅漏间距，极大提高器件频率性能。还可以通过利用样品上已有图形对后续工艺进行尺度控制，仅通过一次电子束光刻即可得到多个纳米尺度的图形，极大节约了工艺成本。此外，此工艺精确度远远高于普通套刻工艺。

法律状态

法律状态公告日2016-03-23 2016-03-23 2016-04-20 2016-04-20 2019-06-07

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效

发明专利申请公布后的驳回法律状态

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效

发明专利申请公布后的驳回

权利要求说明书

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说明书

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