专利名称：硅压阻式压力传感器温度误差修正方法专利类型：发明专利
发明人：孙凤玲,朱晓明,王震,丁文波,李仁刚,刘建伟,王俊巍,
马明宇,张卫星,赵瑞堃
申请号：CN202011241911.5申请日：20201109公开号：CN112414594A公开日：20210226
摘要：一种硅压阻式压力传感器温度误差修正方法，属于传感器修正技术领域。本发明针对现有硅压阻式压力传感器存在温度漂移的问题。它基于惠斯顿电桥构建外接串并联固定补偿电阻进行温度误差修正；选取三个温度点，分别测试惠斯顿电桥在恒定直流电压源激励下的零点输出和上限输出，以及断开电源时在零压状态下的电桥阻值；在不同温度点下建立电桥阻值与四个可变电阻的电路关系，求解获得惠斯顿电桥中四个可变桥臂电阻的阻值；再建立三个温度点条件下的传感器输出数学模型，根据四个可变桥臂电阻的阻值及外接串并联固定补偿电阻的约束条件，求解获得两个灵敏度补偿电阻和三个零点补偿电阻的阻值。本发明用于硅压阻式压力传感器的温度漂移误差修正。
申请人：中国电子科技集团公司第四十九研究所,黑龙江工程学院
地址：150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区一曼街29号
国籍：CN
代理机构：哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司
代理人：杨晓辉
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